HMC-ALH435-DIE
新規設計に推奨低ノイズ・アンプ・チップ、5~20GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
Viewing:
製品の詳細
- ノイズ指数:2.2dB @ 12GHz
- ゲイン:13dB @ 14GHz
- P1dB出力パワー:+16dBm @ 12GHz
- 電源電圧:+5V @ 30mA
- ダイ・サイズ:1.48×0.9×0.1mm
HMC-ALH435は、5~20GHzで動作するGaAs MMIC HEMT低ノイズ広帯域アンプ・ダイです。ゲインは13dB、12GHzでのノイズ指数は2.2dB、1dBゲイン圧縮時の出力は+16dBmで、+5V電源で消費電流はわずか30mAです。小型のHMC-ALH435は、マルチチップ・モジュール(MCM)に組み込むために最適なアンプです。
アプリケーション
- 広帯域通信システム
- 監視システム
- ポイントtoポイント無線
- ポイントtoマルチポイント無線
- 防衛および宇宙
- 試験用計測
- VSAT
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
技術記事 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
HMC-ALH435 | CHIPS OR DIE | ||
HMC-ALH435-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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