ADRF5715
ADRF5715
新規設計に推奨1ビット、1MHz~30GHzのシリコン・デジタル・アッテネータ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$41.49
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製品の詳細
- 超広帯域周波数範囲:1MHz~30GHz
- 減衰範囲:16dB(代表値)
- 低挿入損失
- 8GHzで0.6dB
- 18GHzで0.8dB
- 30GHzで1.15dB
- 減衰精度
- ±0.15dB(代表値、18GHzまで)
- ±0.20dB(代表値、18GHz~30GHz)
- 高入力直線性
- 挿入損失状態(P0.1dB):33dBm(代表値)
- P0.1dB 16dB減衰状態:30dBm(代表値)
- IP3挿入損失状態:51dBm(代表値)
- IP3 16dB減衰状態:49dBm(代表値)
- 大RF電力処理
- ATTINとATTOUTでの入力
- 30dBm(代表値、定常状態、平均値)
- 33dBm(代表値、定常状態、ピーク値)
- ATTINとATTOUTでの入力
- RF振幅のセトリング・タイム(最終的なRFOUTの0.1dB):6.5μs(代表値)
- 単電源動作をサポート
- 相対位相で緊密
- 低周波数スプリアス・シグナルなし
- CMOS/LVTTL互換
- 12端子、2.25mm x 2.25mm、ランド・グリッド・アレイ(LGA)パッケージ
ADRF5715は、減衰量16dBのシリコン製1ビット・デジタル・アッテネータです。
ADRF5715は1MHz~30GHzで動作し、1.15dB未満の低挿入損失と優れた減衰精度を実現します。ADRF5715のATTINポートとATTOUTポートには、定常状態の平均30dBm、定常状態のピーク33dBmのRF電力処理能力があります。
ADRF5715は+3.3Vと−3.3Vの両電源電圧を必要とし、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)/低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)互換の制御を備えます。
ADRF5715は、負電源電圧(VSS)をグラウンドに接続し、正側(供給)単電源電圧(VDD)を印加する場合も動作します。詳細については動作原理のセクションを参照してください。
ADRF5715 RF ポートは、50Ωの特性インピーダンスにマッチするように設計されています。ADRF5715は、12端子、2.25mm × 2.25mmのRoHS準拠LGAパッケージで提供され、 −40°C~+105°Cで動作可能です。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 3
ユーザ・ガイド 1
評価用設計ファイル 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
ADRF5715BCCZN | 12-terminal LGA (2.25 mm x 2.25 mm x 0.75 mm) (CC-12-6) | ||
ADRF5715BCCZN-R7 | 12-terminal LGA (2.25 mm x 2.25 mm x 0.75 mm) (CC-12-6) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
評価用キット
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