ADRF5473
ADRF5473
新規設計に推奨キャリア配置ダイ、シリコン・デジタル減衰器、0.5dB LSB、6ビット、100MHz~40GHz
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
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製品の詳細
- 超広帯域周波数範囲:100MHz~40GHz
- 減衰範囲:0.5dBステップで31.5dB
- ワイヤ・ボンドおよびリボン・ボンド用ボンド・パッド
- 低挿入損失
- 1.7dB(代表値、18GHzまで)
- 2.2dB(代表値、26GHzまで)
- 3.2dB(代表値、40GHzまで)
- 減衰精度
- ±(0.10 + 2.0%の減衰状態)代表値、26GHzまで
- ±(0.13 + 1.5%の減衰状態)代表値、35GHzまで
- ±(0.30 + 1.5%の減衰状態)代表値、40GHzまで
- ステップ誤差(代表値)
- ±0.12dB(代表値、26GHzまで)
- ±0.30dB(代表値、35GHzまで)
- ±0.60dB(代表値、40GHzまで)
- 高入力直線性
- 挿入損失状態(P0.1dB):31dBm(代表値)
- その他の減衰状態(P0.1dB):28dBm(代表値)
- IP3:50dBm(代表値)
- 大RF電力処理
- 26dBm(定常状態、平均)
- 31dBm(定常状態、ピーク)
- 緊密な分布の相対位相
- 低周波数スプリアス・シグナルなし
- SPIおよびパラレル・モード制御、CMOS/LVTTL互換
- RF振幅のセトリング・タイム(最終RF出力の0.1dBまで):250ns
- 18パッド、3.171mm × 1.616mm、キャリア配置ダイ(チップ)
ADRF5473は6ビットのデジタル減衰器で、ガリウム・ヒ素(GaAs)キャリア基板に取り付けられています。減衰制御範囲は0.5dBステップで31.5dBです。基板にはチップとワイヤ・アセンブリ用のボンド・パッドが搭載され、デバイス底面はメタライズされており、グラウンドに接続されます。
このデバイスは、3.2dBの挿入損失と優れた減衰精度より良好な状態で、100MHz~40GHzで動作します。ADRF5473には、すべての減衰状態で平均26dBm、ピーク31dBmのRF入力電力処理能力があります。
また、ADRF5473は+3.3Vと−3.3Vの両電源電圧を必要とし、デバイスは、シリアル・ペリフェラル・インターフェース(SPI)、パラレル・モード制御、および相補型金属酸化膜半導体(CMOS)/低電圧トランジスタtoトランジスタ・ロジック(LVTTL)の互換制御を特長としています。
ADRF5473は、50Ωの特性インピーダンスにマッチするように設計されています。
データシートで多機能パッドの機能の1つについて示している箇所では、関連するパッド名のみを示しています。多機能パッドのすべてのパッド名については、該当のセクションを参照してください。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 2
ビデオ 2
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
ADRF5473BCZ | CHIPS OR DIE | ||
ADRF5473BCZ-GP | CHIPS OR DIE | ||
ADRF5473BCZ-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
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