ADRF5424
ADRF5424
新規設計に推奨キャリア配置ダイ、シリコンSPDTスイッチ、100MHz~60GHz
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
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製品の詳細
- 超広帯域周波数範囲:100MHz~60GHz
- 反射設計
- ワイヤ・ボンドおよびリボン・ボンド用ボンド・パッド
- 低挿入損失
- 1.0dB(代表値、18GHzまで)
- 1.3dB(代表値、44GHzまで)
- 1.5dB(代表値、55GHzまで)
- 高入力直線性
- P1dB:28dBm(代表値)
- IP3:50dBm(代表値)
- 大RF電力処理
- スルー・パス:27dBm(40GHzまで)
- ホット・スイッチング:27dBm(40GHzまで)
- 低周波数スプリアス・シグナルなし
- RFセトリング・タイム(50% VCTRL~0.1dBの最終RF出力):17ns
- 14パッド、2.471mm x 2.571mm、キャリア配置ダイ(チップ)
ADRF5424は、シリコン・プロセスを使って製造した単極双投(SPDT)反射スイッチで、ガリウム・ヒ素(GaAs)キャリア基板に取り付けられています。基板にはチップとワイヤ・アセンブリ用のボンド・パッドが搭載され、デバイス底面はメタライズされており、グラウンドに接続されます。
このデバイスは、1.5dBの挿入損失および35dBのアイソレーション(55GHz時)より良好な状態で、100MHz~60GHzで動作します。ADRF5424は、スルー・パスとホット・スイッチングの両方に対応する、27dBmの無線周波数(RF)入力電力処理機能(40GHzまで)を備えています。
ADRF5424では、+3.3Vの正側(供給)電源で14µA、−3.3Vの負電源で120µAの低電流が流れます。また、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)/低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)互換の制御を備えています。
ADRF5424は、50Ωの特性インピーダンスにマッチするように設計されています。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 2
ビデオ 3
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADRF5424BCZ | CHIPS OR DIE | ||
ADRF5424BCZ-GP | CHIPS OR DIE | ||
ADRF5424BCZ-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。