ADRF5162

新規設計に推奨

高出力、100Wピーク、シリコンSPDT、反射型スイッチ、0.4GHz～8GHz

データシート (Rev. 0)
製品セレクション・テーブル
製品モデル
2
1Ku当たりの価格
最低価格：$25.93
利用上の注意

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本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
Viewing:

製品の詳細

  • 周波数範囲：0.4GHz～8GHz
  • 低挿入損失：4GHzまで0.6dB（代表値）
  • 高アイソレーション：4GHzまで45dB（代表値）
  • 高入力直線性
    • 0.1dB電力圧縮ポイント（P0.1dB）：49dBm
    • 3次インターセプト・ポイント（IP3）：>76dBm
  • TCASE = 85°Cで高出力に対応：
    • 挿入損失パス
      • 平均：45.5dBm
      • パルス（>100nsのパルス幅、15%のデューティ・サイクル）：48.5dBm
      • ピーク（≤100nsのピーク継続時間、5%のデューティ・サイクル）：50dBm
    • RFCでのホット・スイッチング：43dBm
  • PIN ≤ 43dBmでの0.1dB RFセトリング・タイム：1.2μs
  • 低周波数スプリアスなし
  • 正電圧制御インターフェース：CMOS/LVTTL互換
  • 24ピン、4.0mm × 4.0mm LFCSPパッケージ
ADRF5162
高出力、100Wピーク、シリコンSPDT、反射型スイッチ、0.4GHz～8GHz
ADRF5162 Functional Block Diagram ADRF5162 Pin Configuration
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ドキュメント

データシート 2

ユーザ・ガイド 1

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ツールおよびシミュレーション

Sパラメータ 1

評価用キット

eval board
schematic 1
schematic 2
schematic 3
EVAL-ADRF5162

ADRF5162（高出力、100Wピーク、シリコンSPDT、反射型スイッチ、0.4GHz～8GHz）の性能評価

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機能と利点

  • ADRF5162のフル機能評価用ボード
  • 試験装置への容易な接続
  • キャリブレーション用のスルー・ライン

製品詳細

ADRF5162は、シリコン・プロセスで製造された単極双投（SPDT）スイッチです。

このユーザ・ガイドでは、ADRF5162の機能と性能を簡単に評価できるように設計されたADRF5162-EVALZ評価用ボードについて説明します。この評価用ボードの写真を図1に示します。

ADRF5162のデータシートには、ADRF5162の全仕様が記載されています。ADRF5162-EVALZを使用する際は、このユーザ・ガイドと併せてADRF5162のデータシートも参照してください。
EVAL-ADRF5162
ADRF5162（高出力、100Wピーク、シリコンSPDT、反射型スイッチ、0.4GHz～8GHz）の性能評価
EVAL-ADRF5162 Board Photo Angle View EVAL-ADRF5162 Board Photo Top View EVAL-ADRF5162 Board Photo Bottom View

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