ADL8105
新規設計に推奨GaAs、pHEMT、MMIC、低ノイズ・アンプ、5GHz~20GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$82.97
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製品の詳細
- 正側(供給)単電源(自己バイアス)
- ゲイン:12GHz~17GHzで27dB(代表値)
- OP1dB:12GHz~17GHzで18dB(代表値)
- OIP3:12GHz~17GHzで30.5dBm(代表値)
- ノイズ指数:12GHz~17GHzで1.8 dB(代表値)
- RoHS準拠、2mm × 2mm、8ピンLFCSPパッケージ
ADL8105は、ガリウム・ヒ素(GaAs)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)、低ノイズ広帯域アンプで、動作範囲は5GHz~20GHzです。
ADL8105は、12GHz~17GHzの範囲で27dB(代表値)のゲイン、12GHz~17GHzの範囲で1.8dB(代表値)のノイズ指数、12GHz~17GHzの範囲で30.5dBm(代表値)の3次インターセプト・ポイント(OIP3)、最大20.5dBmの飽和出力電力(PSAT)を達成するほか、5V電源から要するのはわずか90mAです。OIP3と出力電力(POUT)を犠牲にして消費電力を小さくすることもできます。また、ADL8105の入出力は内部で50Ωに整合されています。RFINピンとRFOUTピンは内部でACカップリングされ、バイアス・インダクタも内蔵されているため、表面実装技術(SMT)ベースで大容量のマイクロ波無線アプリケーションに最適です。
ADL8105は、RoHS準拠の2mm × 2mm、8ピンLFCSPパッケージに収められています。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 2
ユーザ・ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADL8105ACPZN | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 | ||
ADL8105ACPZN-R7 | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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9 28, 2023 - 23_0146 Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products |
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ADL8105ACPZN | 製造中 | |
ADL8105ACPZN-R7 | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。