Quantic X-Microwave

Analog Devices' RF and microwave components are now also available as X-MWblock® drop-in evaluation modules from X-Microwave.

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HMC994APM5E

製造中

GaAs pHEMT MMIC Power Amplifier, DC - 28 GHz

データシート 製品セレクション・テーブル
製品モデル
3
1Ku当たりの価格
価格は未定
利用上の注意

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
Viewing:

製品の詳細

  • P1dB Output Power: +28 dBm
  • Psat Output Power: +29 dBm
  • High Gain: 15 dB
  • Output IP3: +38 dBm
  • Supply Voltage: Vdd = +10V @ 250 mA
  • 50 Ω Matched Input/Output
  • 32 Lead 5×5 mm SMT Package: 25 mm2
HMC994APM5E
GaAs pHEMT MMIC Power Amplifier, DC - 28 GHz
HMC994APM5E Functional Block Diagram
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サポート

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ドキュメント

データシート 1

ユーザ・ガイド 1

アプリケーション・ノート 3

データシート

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ツールおよびシミュレーション

Sパラメータ 1

キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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ADIsimRF

ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。

ツールを開く

評価用キット

eval board
schematic 1
schematic 2
schematic 3
EVAL-HMC994APM5

GaAs、pHEMT、MMICパワー・アンプ（DC～28GHz）のEV2HMC994APM5評価用ボード

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機能と利点

  • ヒート・スプレッダおよび広帯域表面実装バイアス・ティー回路付き2層Rogers 4350B評価用ボード
  • エンド起動、2.92mm RFコネクタ
  • スルー・キャリブレーション・パス

製品詳細

EV2HMC994APM5は、アルミ製ヒート・スプレッダに取り付けられた、厚さ10ミルのRogers 4350B、銅被覆を使用した2層のプリント回路基板（PCB）で構成されています。ヒート・スプレッダは、デバイスの熱放散を実現するほか、PCBを機械的に支持します。ヒート・スプレッダには取り付け穴があり、ヒート・シンクに取り付けて温度管理を改善できます。RFINおよびRFOUTポートは2.9mmメス同軸コネクタで装着されており、それぞれのRFパターンは50Ωの特性インピーダンスを持ちます。

EV2HMC994APM5には、EV1HMC994APM5との重要な違いが1つあります。EV1HMC994APM5が動作するにはRFOUTポートの外部コネクタ付きバイアス・ティーが必要ですが（詳細については、HMC994APM5Eのデータシートを参照）、EV2HMC994APM5はオンボード表面実装のバイアス・ティー回路を備えています。EV2HMC994APM5ではこの回路を使用して、ネットワーク・アナライザ、スペクトラム・アナライザなどのRF試験装置に直接接続できます。ただし、このオンボード表面実装バイアス・ティー回路では、動作周波数が約22GHzに制限されます（ユーザ・ガイドの図2参照）。この周波数は、HMC994APM5Eが広帯域コネクタ付きバイアス・ティーを使用して動作する場合に達成可能なDC～28GHzという動作周波数範囲とは対照的です。この回路の設計および動作については、AN-2061アプリケーション・ノートで詳しく説明しています。

EV2HMC994APM5には、HMC994APM5Eの全動作温度範囲での使用に適したコンポーネントが搭載されています。ボード・パターン損失を補正するため、J5コネクタとJ6コネクタの間にスルー・キャリブレーション・パス（THRU-CAL）が用意されています。スルー・キャリブレーション・パスを使用するには、J5およびJ6に2.92mmのRFコネクタを差し込む必要があります。スルー・キャリブレーション・パスの性能については、ユーザ・ガイドの図3と表2を参照してください。電源電圧、グラウンド電圧、ゲート制御電圧、ディテクタ出力電圧には、2つの4ピン・ヘッダ（J3およびJ4）を通じてアクセスします（表1を参照）。

RFパターンは、50Ωで接地されたコプレーナ導波路です。パッケージのグラウンド・ピンと露出パドルは、グランド・プレーンに直接接続します。ヒート・スプレッダへの適切な電気伝導および熱伝導を確保するため、複数のビアを使用し、グラウンド・パドル直下の領域に特に集中させる形で、グランド・プレーンの上面と底面を接続しています。

EV2HMC994APM5のデカップリング・コンデンサは、回路の性能の測定に使用される構成を表しています（詳細はAN-2061参照）。ACG2、ACG3/ACG4、VGG1、VGG2のピンに接続されているコンデンサの数を減らすことができますが、減らすことができるコンデンサの数はシステムごとに異なります。コンデンサの数を減らす場合は、最初は、HMC994APM5Eから最も遠い位置にある最大のコンデンサを取り除くことを推奨します。

HMC994APM5Eの詳細については、HMC994APM5Eのデータシートを参照してください。EV2HMC994APM5を使用する際は、このユーザ・ガイドと併せてHMC994APM5Eのデータシートを参照してください。
EVAL-HMC994APM5
GaAs、pHEMT、MMICパワー・アンプ（DC～28GHz）のEV2HMC994APM5評価用ボード
EV1HMC994APM5 - Angle EV1HMC994APM5 - Top EV1HMC994APM5 - Bottom

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