Quantic X-Microwave

Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
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HMC797APM5E

製造中

GaAs pHEMT MMIC 1 Watt Power Amplifier, DC - 22 GHz

データシート 製品セレクション・テーブル
製品モデル
3
1Ku当たりの価格
価格は未定
利用上の注意

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
Viewing:

製品の詳細

  • High P1dB Output Power: +29 dBm
  • High Psat Output Power:  +31 dBm
  • High Gain: 15 dB
  • High Output IP3: +41 dBm
  • Supply Voltage: +10 V @ 400 mA
  • 50 Ω Matched Input/Output
  • 32 Lead 5×5 mm SMT Package: 25 mm2
HMC797APM5E
GaAs pHEMT MMIC 1 Watt Power Amplifier, DC - 22 GHz
HMC797APM5E Functional Block Diagram
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ツールおよびシミュレーション

Sパラメータ 1

キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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ADIsimRF

ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。

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評価用キット

eval board
schematic 1
schematic 2
schematic 3
EVAL-HMC797APM5

ガリウム・砒素（GaAs）、pHEMT、MMICパワー・アンプ（DC～22GHz）のEV2HMC797APM5評価用ボード

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機能と利点

  • ヒート・スプレッダおよび広帯域表面実装バイアス・ティー回路付き2層Rogers 4350B評価用ボード
  • エンド起動、2.92mm RFコネクタ
  • スルー・キャリブレーション・パス

製品詳細

EV2HMC797APM5は、アルミ製ヒート・スプレッダに取り付けられた、厚さ10ミルのRogers 4350B、銅被覆を使用した2層のプリント回路基板（PCB）で構成されています。ヒート・スプレッダは、デバイスの熱放散を実現するほか、PCBを機械的に支持します。ヒート・スプレッダには取り付け穴があり、ヒート・シンクに取り付けて温度管理を改善できます。RFINポートとRFOUTポートは2.9mmメス同軸コネクタで装着されており、それぞれのRFパターンは50Ωの特性インピーダンスを持ちます。

EV2HMC797APM5には、EV1HMC797APM5との重要な違いが1つあります。EV1HMC994APM5が動作するにはRFOUTポートの外部コネクタ付きバイアス・ティーが必要ですが（詳細については、HMC797APM5Eのデータシートを参照）、EV2HMC797APM5はオンボード表面実装のバイアス・ティー回路を備えています。EV2HMC797APM5ではこの回路を使用して、ネットワーク・アナライザ、スペクトラム・アナライザなどのRF試験装置に直接接続できます。ただし、このオンボード表面実装バイアス・ティー回路では、動作周波数が約22GHzまでに制限されます（図3参照）。この回路の設計および動作については、AN-2061アプリケーション・ノートで詳しく説明しています。

EV2HMC797APM5には、HMC797APM5Eの全動作温度範囲での使用に適したコンポーネントが搭載されています。ボード・パターン損失を補正するため、J5コネクタとJ6コネクタの間にスルー・キャリブレーション・パス（THRU-CAL）が用意されています。スルー・キャリブレーション・パスを使用するには、J5およびJ6に2.92mmのRFコネクタを差し込む必要があります。スルー・キャリブレーション・パスの性能については、図4と表2を参照してください。電源電圧、グラウンド電圧、ゲート制御電圧、ディテクタ出力電圧には、2つの4ピン・ヘッダー（J3およびJ4）を通じてアクセスします（表1を参照）。

RFパターンは、50Ωで接地されたコプレーナ導波路です。パッケージのグラウンド・ピンと露出パドルは、グランド・プレーンに直接接続します。複数のビアを使用して上部と下部のグランド・プレーンを接続し、特にグラウンド・パドル直下の領域に焦点を当てて、ヒート・スプレッダへの適切な電気伝導と熱伝導を確保しています。

EV2HMC797APM5のデカップリング・コンデンサは、この回路の性能測定に使用される構成を表しています（詳細はAN-2061参照）。ACG2、ACG3/ACG4、VGG1、VGG2の各ピンに接続されているコンデンサの数を減らすことができますが、その数はシステムによって異なります。コンデンサの数を減らす場合は、最初は、HMC797APM5Eから最も遠い位置にある最大のコンデンサを取り除くことを推奨します。

HMC797APM5Eの詳細については、HMC797APM5Eのデータシートを参照してください。EV2HMC797APM5を使用する際は、このユーザ・ガイドと併せてHMC797APM5Eのデータシートも参照してください。
EVAL-HMC797APM5
ガリウム・砒素（GaAs）、pHEMT、MMICパワー・アンプ（DC～22GHz）のEV2HMC797APM5評価用ボード
EVAL-HMC797APM5 Angle View EVAL-HMC797APM5 Top View EVAL-HMC797APM5 Bottom View

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