Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
from Quantic™ X-Microwave.
HMC637BPM5E
新規設計に推奨GaAs, pHEMT, MMIC, 正側（供給）単電源, DC ~ 7.5GHz, 1 W パワー・アンプ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- P1dB 出力電力:28 dBm（代表値）
- ゲイン:15.5 dB（代表値）
- 出力 IP3:39 dBm（代表値）
- 345 mA（代表値）、VDD = 12 V で自己バイアス
- IDQ 調整用の VGG1 におけるオプションのバイアス制御
- IP2 および IP3 最適化用の VGG2 におけるオプションのバイアス制御
- 50Ω に整合した入出力
- 32 ピン 5 mm × 5 mm LFCSP パッケージ:25 mm2
HMC637BPM5E は、ガリウム・ヒ素（GaAs）、モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）、カスコード分散型パワー・アンプです。デバイスは、通常動作で自己バイアスし、静止電流（IDQ）の調整および 2 次インターセプト（IP2）と 3 次インターセプト（IP3）の最適化のためのオプションのバイアス制御機能を備えています。アンプは DC ~ 7.5 GHz で動作し、15.5 dB の小信号ゲイン、1 dB のゲイン圧縮での 28 dBm 出力電力、39 dBm の出力 IP3（代表値）、3.5 dB のノイズ指数を提供します。また、12 V 電源電圧（VDD）からの 345 mA が必要です。HMC637BPM5E は、ゲイン平坦度が ±0.5 dB で DC ～ 7.5 GHz（代表値）と良好なため、防衛、宇宙、および試験装置などのアプリケーションに最適です。また、HMC637BPM5E は、内部的に 50 Ω に整合される入力／出力（I/O）を備え、RoHS 準拠の 5 mm × 5 mm、プリモールド・キャビティ、リード・フレーム・チップ・スケール・パッケージ（LFCSP）を採用しているため、デバイスは、大容量、表面実装技術（SMT）アセンブリ装置と互換性があります。
アプリケーション
- 防衛および宇宙
- 試験用計測器
ドキュメント
データシート 2
アプリケーション・ノート 3
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| HMC637BPM5E | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) | ||
| HMC637BPM5ETR | 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP) |
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
|---|---|---|
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3 19, 2021 - 20_0308 Epoxy Change at ASE Chungli Branch for PM5E and ACGZN Packages |
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| HMC637BPM5E | 製造中 | |
| HMC637BPM5ETR | 製造中 | |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
ツールを開く評価用キット
HMC637BPM5E Evaluation Board