HMC326
新規設計に推奨GaAs InGaP HBTドライバ・アンプSMT、3.0GHz~4.5GHz
- 製品モデル
- 4
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- Psat出力電力:+26dBm
- > 40% PAE
- 出力IP3:+36dBm
- 高ゲイン:21dB
- Vs:+5V
- 超小型パッケージ:MSOP8G
HMC326MS8GおよびHMC326MS8GEは、効率の高いGaAs InGaPヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)を使用したMMICドライバ・アンプで、動作範囲は3GHz~4.5GHzです。このアンプは、RF性能と熱性能を改善するために、露出ベース付きの低価格の8ピン表面実装パッケージを採用しています。このアンプは、+5V電源電圧から21dBのゲインと+26dBmの飽和電力を提供します。アンプを使用しない場合は、電流消費を抑えるためにパワーダウン機能を利用できます。内部回路マッチングは、40%を超えるPAEを提供するために最適化されました。
アプリケーション
- マイクロ波無線
- ブロードバンド無線システム
- ワイヤレス・ローカル・ループ・ドライバ・アンプ
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 2
品質関連資料 4
製品選択ガイド 1
テープ&リール仕様 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC326MS8G | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
HMC326MS8GE | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
HMC326MS8GETR | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
HMC326MS8GTR | 8-Lead MSOP w/ EP |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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5 6, 2019 - 19_0063 Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia |
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HMC326MS8G | 製造中 | |
HMC326MS8GE | 製造中 | |
HMC326MS8GETR | 製造中 | |
HMC326MS8GTR | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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