HMC1114LP5DE

製造中止

10 W、GaN パワー・アンプ、2.7 GHz ～ 3.8 GHz

データシート (Rev. A) 製品セレクション・テーブル

製品モデル: 1
1Ku当たりの価格: 価格は未定

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製品の詳細

高飽和出力電力（P_SAT）: 41.5 dBm（代表値）
高い小信号ゲイン: 35 dB（代表値）
飽和出力電力での高パワー・ゲイン: 25.5 dB（代表値）
帯域幅: 2.7 GHz ～ 3.8 GHz
高電力付加効率（PAE）: 54 %（代表値）
高出力 IP3: 44 dBm（代表値）
電源電圧: V_DD = 28 V（150 mA）
32 ピン、5 mm × 5 mm LFCSP_CAV パッケージ

製品モデル: 1
1Ku当たりの価格: 価格は未定

ドキュメント

データシート 1

HMC1114: 10 Watt, GaN Power Amplifier, 2.7 GHz to 3.8 GHz Data Sheet (Rev.A) 11/05/2015

アプリケーション・ノート 2

AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算 08/01/2019

AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers 05/13/2020

アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。

製品モデル	ピン／パッケージ図	資料	CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
HMC1114LP5DETR	32-Lead LFCSP_CAV (5mm x 5mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

製品モデル	製品ライフサイクル	PCN

10 30, 2018 - 18_0034 Discontinuance of Model Numbers: HMC1132LP5DE, HMC943ALP5DE, HMC1114LP5DE, HMC8500LP5DE and HMC1099LP5DE
		PDN18_0034_Form Material_Report
HMC1114LP5DETR	製造中止	PDN18_0034_Form Material_Report

これは最新改訂バージョンのデータシートです。

ハードウェア・エコシステム

製品モデル	製品ライフサイクル	詳細
HMC1114PM5E		10 W（42 dBm）超、2.7 GHz ～ 3.8 GHz、GaN パワー・アンプ

ツールおよびシミュレーション

キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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Sパラメータ 1

HMC1114LP5DE S-Parameters

ADIsimRF

ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。

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