HMC1099LP5DE
製造中止10ワットGaNパワー・アンプ、0.01～1.1GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 高PSAT：+40.5dBm（typ）
- 高小信号ゲイン：18.5dB typ
- 高PAE：69% typ
- 瞬時帯域幅：0.01GHz～1.1GHz
- 電源電圧：
VDD = +28V @ 100mA - 内部事前整合
- 最適性能を実現するシンプルでコンパクトな外部チューニング
- 32ピン5×5mm LFCSPパッケージ：25mm2
HMC1099LP5DE は GaN 広帯域パワー・アンプです。ゲイン平坦性 ±0.5 dB typ の 0.01 GHz ～ 1.1 GHz 瞬時帯域幅において、最大 69% の PAE で 10 W 以上の出力を提供します。
HMC1099LP5DE は、ワイヤレス・インフラストラクチャ、レーダー、公共移動無線、汎用増幅などのパルスまたは連続波（CW）アプリケーションに最適です。
HMC1099LP5DE アンプは、低コストの表面実装部品を使用して外部チューニングが行われ、小型の LFCSP パッケージを採用しています。
複数機能ピンは該当する機能のみによって述べられる可能性があります。
アプリケーション
- 公共移動無線用の長時間バッテリ動作
- ワイヤレス・インフラストラクチャのパワー・アンプ段
- 試験および測定装置
- 民間および防衛レーダー
- 汎用トランスミッタ・アプリケーション
ドキュメント
データシート 1
アプリケーション・ノート 3
技術記事 1
ビデオ 2
製品選択ガイド 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| HMC1099LP5DE | 32-Lead LFCSP_CAV (5mm x 5mm w/ EP) | ||
| HMC1099LP5DETR | 32-Lead LFCSP_CAV (5mm x 5mm w/ EP) |
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
|---|---|---|
|
10 30, 2018 - 18_0034 Discontinuance of Model Numbers: HMC1132LP5DE, HMC943ALP5DE, HMC1114LP5DE, HMC8500LP5DE and HMC1099LP5DE |
||
| HMC1099LP5DE | 製造中止 | |
| HMC1099LP5DETR | 製造中止 | |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ハードウェア・エコシステム
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 |
|---|---|---|
| HMC1099PM5E | 10 W（40 dBm）、0.01 GHz ～ 1.1 GHz、GaN パワー・アンプ |
ツールおよびシミュレーション
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くSパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
ツールを開く評価用キット
HMC1099 Evaluation Board