Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
from Quantic™ X-Microwave.
HMC1082
新規設計に推奨GaAs pHEMT MMIC 中出力パワー・アンプ、5.5 GHz ～ 18 GHz
- 製品モデル
- 4
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
製品の詳細
- 高飽和出力電力: 24 % の PAE で 26 dBm
- 高ゲイン: 24 dB（代表値）
- 高出力 IP3: 36 dBm（代表値）
- 高出力 P1dB: 25.5 dBm
- ダイ・サイズ：2.19mm × 1.05mm × 0.1 mm
HHMC1082CHIPは、ガリウム・ヒ素（GaAs）モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）の擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）ドライバ・アンプで、5.5GHz～18GHzの範囲で動作します。このアンプは、24dBのゲイン（代表値）、36dBmの出力IP3、1dBゲイン圧縮ポイントでの25.5dBmの出力電力を提供し、5V電源から要する電流はわずか220mAです。飽和出力電力（PSAT）は、24%の電力付加効率（PAE）で26dBmです。
HMC1082CHIPは、5.5GHz～18GHzのポイントtoポイント無線や9GHzの船舶用レーダーなど、広範囲のアプリケーションに最適なドライバ・アンプです。また、6GHz～18GHzのEWおよびECMアプリケーションにも使用できます。
アプリケーション
- ソフトウェア無線
- 電子戦（EW）
- レーダー・アプリケーション
- 電子対抗手段（ECM）
ドキュメント
データシート 3
アプリケーション・ノート 3
製品選択ガイド 1
品質関連資料 2
テープ＆リール仕様 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| HMC1082C-KIT | CHIPS OR DIE | ||
| HMC1082CHIP | CHIPS OR DIE | ||
| HMC1082LP4E | 24-Lead QFN (4mm x 4mm w/ EP) | ||
| HMC1082LP4ETR | 24-Lead QFN (4mm x 4mm w/ EP) |
| 製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
|---|---|---|
|
6 6, 2022 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products |
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| HMC1082LP4E | 製造中 | |
| HMC1082LP4ETR | 製造中 | |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 2
キーサイトGenesys向けのSys-Parameterモデル
Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。
ツールを開くADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
ツールを開く評価用キット
HMC1082LP4 Evaluation Board