HMC952A

推荐新设计使用

集成功率检波器的GaAs pHEMT MMIC 2 W功率放大器，8 - 14 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

+35 dBm Psat (26% PAE)
高P1dB输出功率：+34 dBm
高增益：32 dB
高输出IP3：+43 dBm
电源电压： Vdd = +6V (1400 mA)
50 Ω匹配输入/输出

参考资料

数据手册 1

HMC952ALP5GE: GaAs pHEMT MMIC 2 Watt Power Amplifier with Power Detector 8 - 14 GHz Data Sheet 01/04/2016

应用笔记 3

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-2578: Using the VREF Pin of RF Amplifier Power Detectors to Monitor Die Temperature 02/12/2024

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC952ALP5GE	24 ld LFCSP (5x5mm w/2.35mm EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC952ALP5GETR	24 ld LFCSP (5x5mm w/2.35mm EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

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工具及仿真模型

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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