HMC906A-DIE

不推荐用于新设计

GaAs pHEMT MMIC 2 瓦功率放大器，27.3 - 33.5 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 2

Viewing:

产品详情

饱和输出功率：+33.5 dBm @ 20% PAE
高输出 IP 3：+44 dBm
高增益：28 dB
直流电源：+6V @ 1200 mA
无需外部匹配
裸片尺寸：3.18 x 2.73 x 0.1 mm

产品模型: 2

参考资料

数据手册 1

HMC906A: GaAs pHEMT MMIC 2 Watt Power Amplifier, 27.3 - 33.5 GHz Data Sheet 02/13/2017

应用笔记 4

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC906A	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC906A-SX	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

6月 8, 2022 - 22_0053 Discontinuance of select material numbers per attached Material File.
		PDN22_0053_Form Material_Report
HMC906A	最后购买期限
HMC906A-SX	最后购买期限

这是最新版本的数据手册

软件资源

找不到您所需的软件或驱动?

申请驱动/软件

工具及仿真模型

S-参数 1

HMC906A S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

打开工具