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HMC903-Die

量产

低噪声放大器，采用SMT封装，6 - 18 GHz

数据手册 (Rev. C) 产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

噪声系数：1.6 dB（典型值）
小信号增益：19 dB（典型值）
输出P1dB：16 dBm（典型值）
单电源电压：3.5 V（典型值，90 mA）
输出IP3：27 dBm（典型值）
50 Ω匹配输入/输出
通过可选偏置控制实现自偏置，在不施加射频(RF)的情况下降低静态漏极控制(I_DQ)
裸片尺寸：1.33 mm × 1.08 mm × 0.102 mm

此产品有一个更新版本

GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，6 GHz至18 GHz

产品模型: 2

参考资料

数据手册 1

HMC903: 6 GHz to 18 GHz GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier Data Sheet (Rev.C) 10/20/2015

应用笔记 4

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC903	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC903-SX	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

这是最新版本的数据手册

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硬件生态系统

部分模型	产品周期	描述
ADL8107	推荐新设计使用	GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，6 GHz至18 GHz

工具及仿真模型

S-参数 1

HMC903 Die S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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