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HMC8411
推荐新设计使用0.01 GHz 至 10 GHz 低噪声放大器
- 产品模型
- 4
产品详情
- 低噪声系数:1.7 dB(典型值)
- 单正电源(自偏置)
- 高增益:15.5 dB(典型值)
- 高OIP3:34 dBm(典型值)
- 6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP
- 下载HMC8411TCPZ-EP数据手册 (pdf)
- 军用温度范围(-55℃至+125℃)
- 受控制造基线
- 唯一封装/测试厂
- 唯一制造厂
- 产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
- V62/19617 DSCC图纸号
HMC8411LP2FE 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器,工作范围为 0.01 GHz 至 10 GHz。
HMC8411LP2FE 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪声指数和 34 dBm 的典型输出三阶交调点 (OIP3),只需要 55 mA 电流,5 V 电源电压。19.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 ADI公司众多平衡式同相/正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。
HMC8411LP2FE 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出,使得该器件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。
HMC8411LP2FE 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引脚 LFCSP 封装。
多功能引脚名称只能供其相关功能引用。
应用
- 测试仪器仪表
- 军事通信
参考资料
数据手册 3
应用笔记 1
技术文章 1
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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HMC8411LP2FE | 6-Lead LFCSP (2mm x 2mm) | ||
HMC8411LP2FETR | 6-Lead LFCSP (2mm x 2mm) | ||
HMC8411TCPZ-EP-PT | 6-Lead LFCSP (2mm x 2mm) | ||
HMC8411TCPZ-EP-R7 | 6-Lead LFCSP (2mm x 2mm) |
产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
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9月 28, 2023 - 23_0146 Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products |
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HMC8411LP2FE | 量产 | |
HMC8411LP2FETR | 量产 | |
HMC8411TCPZ-EP-PT | 量产 | |
HMC8411TCPZ-EP-R7 | 量产 | |
9月 7, 2022 - 22_0214 HMC8411 Data Sheet Revision |
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HMC8411LP2FE | 量产 | |
HMC8411LP2FETR | 量产 | |
HMC8411TCPZ-EP-PT | 量产 | |
HMC8411TCPZ-EP-R7 | 量产 | |
2月 19, 2021 - 20_0367 HMC8410/HMC8411 Data Sheet Revision |
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HMC8411LP2FE | 量产 | |
HMC8411LP2FETR | 量产 | |
HMC8411TCPZ-EP-PT | 量产 | |
HMC8411TCPZ-EP-R7 | 量产 |
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工具及仿真模型
S-参数 1
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
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