HMC754

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GaAs HBT高线性度推挽放大器，75 Ω、DC - 1 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 1

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产品详情

输出IP2： +78 dBm
高增益： 14.5 dB
高输出IP3： +38 dBm
75 Ω阻抗
单正电源： +5V
稳定的1000V ESD，1C类
SOIC-8G SMT封装

参考资料

数据手册 1

HMC754: GaAs HBT High Linearity Push-Pull Amplifier, 75 Ohm, DC - 1 GHz Data Sheet 04/21/2021

应用笔记 2

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC754S8GETR	8-Lead MSOP (3mm x 3mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

1月 29, 2021 - 21_0021 Correction of Package Outline Drawing for Select HMC Products in Carsem in the 8L SOIC E-Pad Package
		PCN21_0021_Form Material_Report Detailed Change Description
HMC754S8GETR	过期
5月 6, 2019 - 19_0063 Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia
		PCN19_0063_Form Material_Report Other Qualification Results Summary Qualification Results Summary Other
HMC754S8GETR	过期
7月 19, 2019 - 19_0036 Obsolescence of product models.
		PDN19_0036_Form Material_Report
HMC754S8GETR	过期	PDN19_0036_Form Material_Report

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工具及仿真模型

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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