HMC7357

推荐新设计使用

GaAs pHEMT MMIC 2 W功率放大器，5.5 - 8.5 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

+35 dBm Pout (34% PAE)
高P1dB输出：+34 dBm
高输出IP3：+41.5 dBm
高增益：29 dB

50 Ω匹配输入/输出
电源电压：Vdd = 8V (1200 mA)
24引脚5x5 mm SMT封装

参考资料

数据手册 1

HMC7357: GaAs pHEMT MMIC 2 Watt Power Amplifier, 5.5 - 8.5 GHz Data Sheet 04/22/2015

应用笔记 3

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC7357LP5GE	24 ld LFCSP (5x5mm w/2.35mm EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC7357LP5GETR	24 ld LFCSP (5x5mm w/2.35mm EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

7月 6, 2021 - 21_0153 Moisture Sensitivity Level Rating Change for HMC7357
		PCN21_0153_Form Material_Report Qualification Results Summary
HMC7357LP5GE	量产
HMC7357LP5GETR	量产

这是最新版本的数据手册

工具及仿真模型

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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