HMC637ALP5E
量产
GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器，0.1 GHz至6 GHz
- 产品模型
- 4
产品详情
- P1dB输出功率：29 dBm
- 增益：13 dB
- 输出IP3：44 dBm
- 50 Ω匹配输入/输出
- 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装：25 mm2
- 扩展工业温度范围：-55℃至+105°C
- 下载HMC637ASCPZ-EP数据手册(pdf)
- 受控制造基线
- 封装/测试厂
- 制造厂
- 产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
- V62/19618 DSCC图纸号
HMC637ALP5E 是一款砷化镓 (GaAs) 、单芯片微波集成电路 (MMIC) 、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 分布式功率放大器，工作频率范围为 0.1 GHz 至 6 GHz 。该放大器提供 13 dB 增益、 44 dBm 输出三阶交调截点 (IP3) 和 29 dBm 输出功率（ 1 dB 增益压缩），功耗为 400 mA （采用 12 V 电源）。 HMC637ALP5E 在 100 MHz 至 6 GHz 范围内的增益平坦度为 ±0.75 dB ，因而非常适合电子战 (EW) 、电子对抗 (ECM) 、雷达和测试设备应用。 HMC637ALP5E 放大器射频 (RF) I/O 内部匹配至 50 Ω ，且 5 mm × 5 mm 引脚架构芯片级封装 (LFCSP) 与大规模表贴技术 (SMT) 组装设备兼容。
应用
- 电信基础设施
- 微波无线电
- 甚小孔径终端 (VSAT)
- 军事与太空
- 测试仪器仪表
- 光纤产品
参考资料
数据手册 3
应用笔记 4
质量文档 2
产品选型指南 1
磁带和卷轴规格 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC637ALP5E | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) | ||
| HMC637ALP5ETR | 32-Lead QFN (5mm x 5mm w/ EP) | ||
| HMC637ASCPZ-EP-PT | 32-lead LFCSP (5mm x 5mm) | ||
| HMC637ASCPZ-EP-R7 | 32-lead LFCSP (5mm x 5mm) |
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工具及仿真模型
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
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ADIsimRF
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
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