HMC635-Die

量产

驱动放大器芯片，18 - 40 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

增益： 19.5 dB
P1dB: +23 dBm
输出IP3： +29 dBm
饱和功率：
+24 dBm (15% PAE)
电源电压： +5V (280 mA)
50 Ω匹配输入/输出<
裸片尺寸： 1.95 x 0.84 x 0.10 mm

参考资料

数据手册 1

HMC635 Die Data Sheet 10/19/2015

应用笔记 3

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC635	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC635-SX	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

这是最新版本的数据手册

工具及仿真模型

S-参数 1

HMC635 Die S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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