HMC415
推荐新设计使用
InGaP HBT功率放大器SMT，4.9 - 5.9 GHz
- 产品模型
- 2
产品详情
- 增益： 20 dB
- 34% PAE (Psat = +26 dBm)
- 3.7% EVM (Pout = +15 dBm)
- 具有54 Mbps OFDM信号
- 电源电压： +3 V
- 省电功能
- 外部器件数量少
HMC415LP3(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为4.9至5.9 GHz。 该放大器采用低成本、无铅表面贴装封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供20 dB增益，饱和功率为+26 dBm（34% PAE时），电源电压为+3V。 Vpd可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 对于+15 dBm OFDM输出功率（64 QAM，54 Mbps），HMC415LP3(E)可实现3.7%的误差矢量幅度(EVM)，从而满足802.11a线性度要求。
应用
- 802.11a WLAN
- HiperLAN WLAN
- 接入点
- UNII和ISM无线电
参考资料
数据手册 1
应用笔记 2
质量文档 4
产品选型指南 1
磁带和卷轴规格 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC415LP3E | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) | ||
| HMC415LP3ETR | 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
|
4月 19, 2022 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products |
||
| HMC415LP3E | 量产 | |
| HMC415LP3ETR | 量产 | |
这是最新版本的数据手册
工具及仿真模型
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
打开工具S-参数 1
ADIsimRF
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
打开工具最新评论
需要发起讨论吗？ 没有关于 hmc415的相关讨论？是否需要发起讨论？
在EngineerZone®上发起讨论