HMC374SC70E

量产

GaAs pHEMT低噪声放大器，采用SMT封装，0.3 - 3.0 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

单电源： Vdd = +3.0V至+3.6V
宽带性能
低噪声系数： 1.6 dB
高输出IP3： +35 dBm
高增益： 15 dB (0.6 GHz)

参考资料

数据手册 1

HMC374SC70E Data Sheet 04/15/2015

应用笔记 3

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC374SC70E	6-Lead SC70	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC374SC70ETR	6-Lead SC70	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

这是最新版本的数据手册

工具及仿真模型

S-参数 1

HMC374SC70E S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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