HMC326

推荐新设计使用

GaAs InGaP HBT 驱动放大器，SMT，3.0 - 4.5 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 4

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产品详情

饱和输出功率：+26 dBm
> 40% PAE
输出 IP3：+36 dBm
高增益：21 dB
Vs：+5V
超小型封装：MSOP8G

参考资料

数据手册 1

HMC326 Data Sheet 04/22/2015

应用笔记 2

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC326MS8G	8-Lead MSOP w/ EP	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC326MS8GE	8-Lead MSOP w/ EP	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC326MS8GETR	8-Lead MSOP w/ EP	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC326MS8GTR	8-Lead MSOP w/ EP	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

5月 6, 2019 - 19_0063 Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia
		PCN19_0063_Form Material_Report Other Qualification Results Summary Qualification Results Summary Other
HMC326MS8G	量产
HMC326MS8GE	量产
HMC326MS8GETR	量产
HMC326MS8GTR	量产

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工具及仿真模型

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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