HMC313

推荐新设计使用

InGaP HBT增益模块放大器SMT，DC - 6 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 4

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产品详情

P1dB输出功率： +14 dBm
输出IP3： +27 dBm
增益： 17 dB
单电源： +5V
高可靠性GaAs HBT工艺
小型封装： SOT26

参考资料

数据手册 1

HMC313/313E: GaAs InGaP HBT MMIC Broadband Amplifier Gain Block, DC - 6 GHz Data Sheet 04/22/2015

应用笔记 1

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC313	6-Lead SOT-23	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC313E	6-Lead SOT-23	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC313ETR	6-Lead SOT-23	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC313TR	6-Lead SOT-23	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

这是最新版本的数据手册

工具及仿真模型

S-参数 1

HMC313 S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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