HMC8205
推荐新设计使用0.3或0.4 GHz至6 GHz、35 W、GaN功率放大器
- 产品模型
- 3
产品详情
- 高 PSAT：46 dBm
- 高功率增益：20 dB
- 高 PAE：38%
- 瞬时带宽：0.3 GHz 到 6 GHz
- 电源电压：VDD = 50 V，1300 mA
- 10 引脚 LDCC 封装
HMC8205BF10是一款氮化镓(GaN)宽带功率放大器，在瞬时带宽范围为0.3 GHz至6 GHz时提供45.5 dBm (35 W)功率和38%功率附加效率(PAE)。无需外部匹配便可实现全频段工作。此外，无需外部电感便可实现放大器偏置。同时，RFIN和RFOUT引脚的隔直电容集成到HMC8205BF10中。
HMC8205BF10非常适合脉冲或连续波(CW)应用，如军用干扰发射器、无线基础设施、雷达和通用放大。
HMC8205BF10放大器采用10引脚陶瓷芯片载体(LDCC)封装。
HMC8205BCHIPS是一款氮化镓(GaN)、宽带功率放大器，在瞬时带宽范围为0.4 GHz至6 GHz时提供45.5 dBm (35 W)功率和40%功率附加效率(PAE)。无需外部匹配便可实现全频段工作。无需外部电感便可实现放大器偏置。此外，RFIN和RFOUT引脚的隔直电容集成到HMC8205BCHIPS中。
HMC8205BCHIPS非常适合脉冲或连续波(CW)应用，如军用干扰发射器、无线基础设施、雷达和通用放大。
应用
- 军用干扰发射器
- 商用和军事雷达
- 针对无线基础设施的功率放大器级
- 测试与测量设备
参考资料
数据手册 2
应用笔记 1
视频 1
产品选型指南 1
模拟对话 1
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| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC8205BCHIPS | CHIPS OR DIE | ||
| HMC8205BF10 | 10 ld LDCC (11.43x17.32mm) | ||
| HMC8205BF10-50 | 10 ld LDCC (11.43x17.32mm) |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
|
12月 12, 2017 - 17_0199 Change in First Level Packaging for HMC1086F10, HMC1087F10, HMC8205BF10. |
||
| HMC8205BF10 | 量产 | |
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工具及仿真模型
S-参数 2
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
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ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
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