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HMC452ST89

量产

1 W功率放大器，采用SMT封装，0.4 - 2.2 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 3

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产品详情

输出IP3： +49 dBm
增益：21 dB (400 MHz)
增益：9 dB (2100 MHz)
PAE为50%（Pout为+31 dBm时）
+25 dBm的CDMA2000
通道功率（ACP为-45 dBc时）

参考资料

数据手册 1

HMC452ST89 Data Sheet 04/16/2015

应用笔记 3

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC452ST89	3-Lead SOT-89	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC452ST89E	3-Lead SOT-89	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC452ST89ETR	3-Lead SOT-89	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

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工具及仿真模型

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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