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HMC1082

推荐新设计使用

GaAs pHEMT MMIC中等功耗放大器，5.5 - 18 GHz

数据手册 (Rev. B) 产品选型表

产品模型: 4

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产品详情

高饱和输出功率：26 dBm（24% PAE）
高增益：24 dB（典型值）

高输出IP3：36 dBm（典型值）
高输出P1dB：25.5 dBm
裸片尺寸：2.19 mm × 1.05 × 0.1 mm

参考资料

数据手册 2

HMC1082CHIP: 5.5 GHz to 18 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, Medium Power Amplifier Data Sheet (Rev.B) 06/26/2019

HMC1082LP4E: GaAs pHEMT MMIC Medium Power Amplifier, 5.5 - 18 GHz Data Sheet 04/22/2015

应用笔记 3

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC1082C-KIT	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC1082CHIP	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC1082LP4E	24-Lead QFN (4mm x 4mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC1082LP4ETR	24-Lead QFN (4mm x 4mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

6月 6, 2022 - 22_0048 Addition of ASE Korea as an Alternate Assembly Site for Select LFCSP Products
		PCN22_0048_Form Material_Report Qualification Results Summary Detailed Change Description
HMC1082LP4E	量产
HMC1082LP4ETR	量产

这是最新版本的数据手册

工具及仿真模型

S-参数 2

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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