ADRF5515A
推荐新设计使用双通道,3.3 GHz至4.0 GHz,20 W接收器前端
- 产品模型
- 3
产品详情
- 集成式双通道 RF 前端
- 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 交换芯片
- 片内偏置和匹配
- 单电源供电
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整个生命周期:43 dBm
- 增益
- 高增益模式:3.6 GHz 时为 36 dB(典型值)
- 低增益模式:3.6 GHz 时为 17 dB(典型值)
- 低噪声指数
- 高增益模式:3.6 GHz 时为 1.05 dB(典型值)
- 低增益模式:3.6 GHz 时为 1.05 dB(典型值)
ADRF5515A是一款双通道、集成RF、前端、多芯片模块,设计用于时分双工(TDD)应用。该设备的工作频率为3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515A采用双通道配置,包含级联两级低噪声放大器(LNA)和高功率硅单刀双掷(SPDT)开关。
在高增益模式下,级联两级LNA和开关提供1.05 dB的低噪声系数和36 dB的高增益(频率为3.6 GHz)以及35 dBm(典型值)的输出3阶交调(OIP3)点。在低增益模式下,两级LNA的一级处于旁路状态,在48 mA的较低电流下提供17 dB的增益。在关断模式下,LNA都会关闭且器件功耗为13 mA。
在发射操作中,当RF输入连接到端电极引脚(TERM-CHA或TERM-CHB)时,该开关提供0.5 dB的低插入损耗,并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进(LTE)平均功率(9 dB峰值/平均值比(PAR))。
该器件采用符合RoHS标准的紧凑型、6 mm × 6 mm、40引脚架构芯片级封装(LFCSP)。
应用
参考资料
数据手册 1
用户手册 1
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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ADRF5515ABCPZN | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5515ABCPZN-R7 | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
ADRF5515ABCPZN-RL | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) |
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