ADRF5515
推荐新设计使用双通道，3.3 GHz至4.0 GHz，20 W接收器前端
- 产品模型
- 3
产品详情
- 集成式双通道 RF 前端
- 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 开关
- 片内偏置和匹配
- 单电源供电
- 增益
- 高增益模式：3.6 GHz 时为 33 dB（典型值）
- 低增益模式：3.6 GHz 时为 16 dB（典型值）
- 低噪声指数
- 高增益模式：3.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
- 低增益模式：3.6 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
- 高隔离
- RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：45 dB（典型值）
- TERM-CHA 和 TERM-CHB：60 dB（典型值）
- 低插入损耗：3.6 GHz 时为 0.45 dB（典型值）
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- 整个生命周期
- LTE 平均功率 (9 dB PAR)：43 dBm
- 整个生命周期
- 高 OIP3（高增益模式）：32 dBm（典型值）
- 关断模式和低增益模式（针对 LNA）
- 低电源电流
- 高增益模式：5 V 时为 86 mA（典型值）
- 低增益模式：5 V 时为 36 mA（典型值）
- 关断模式：5 V 时为 12 mA（典型值）
- 正逻辑控制
- 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
- 与 ADRF5545A 10 W 版本引脚兼容
ADRF5515是一款双通道、集成RF、前端、多芯片模块，设计用于时分双工(TDD)应用。该设备的工作频率为3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515采用双通道配置，具有级联、两级、LNA和大功率硅SPDT开关。
在高增益模式下，级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声系数和33 dB的高增益（频率为3.6 GHz）以及32 dBm（典型值）的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路状态，在36 mA的较低电流下提供16 dB的增益。在关断模式下，LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。
在发射操作中，当RF输入连接到端电极引脚（TERM-CHA或TERM-CHB）时，该开关提供0.45 dB的低插入损耗，并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进(LTE)平均功率（9 dB峰值/平均值比(PAR)）。
ADRF5515的引脚与ADRF5545A 10 W版本兼容，后者在2.4 GHz至4.2 GHz的频率范围内工作。
ADRF5515在RF端口上不需要任何匹配元件，该端口可内部匹配至50 Ω。ANT和TERM端口也在内部交流耦合。因此，只有接收端口需要外部隔直电容。
该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm ×6 mm 40引脚LFCSP封装。
应用
- 无线基础设施
- TDD大规模多路输入和多路输出和有源天线系统
- 基于TDD的通信系统
参考资料
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADRF5515BCPZN | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
| ADRF5515BCPZN-R7 | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) | ||
| ADRF5515BCPZN-RL | 40-Lead LFCSP (6mm x 6mm w/ EP) |
这是最新版本的数据手册
工具及仿真模型
S-参数 1
评估套件
评估ADRF5515双通道3.3 GHz至4.0 GHz接收器前端
资料
最新评论
需要发起讨论吗？ 没有关于 adrf5515的相关讨论？是否需要发起讨论？
在EngineerZone®上发起讨论