HMC536MS8G
HMC536MS8G
製造中3 W SPDT T/R スイッチ、SMT、DC ~ 6 GHz
- 製品モデル
- 4
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
Viewing:
製品の詳細
- 入力 P0.1dB: +5V で +34 dBm
- 挿入損失: 0.5 dB
- 正電圧制御: +3 V または +5 V
- MS8G SMT パッケージ、14.8 mm²
- アイソレーション: 27 dB
- 非常に速いスイッチング速度
HMC536MS8G(E)は、DC ~ 6 GHz の GaAs MMIC T/R スイッチで、エクスポーズド・グラウンド・パッド付き 8 ピン MSOP8G 表面実装パッケージを採用しています。このスイッチは、セルラ/PCS/3G 基地局のアプリケーションに最適で、0.5 dB の挿入損失、+55 dBm の入力 IP3 を示します。スイッチの P0.1dB 圧縮ポイントは、+3 V の制御電圧で +29 dBmであり、6 GHz に至るまで優れた電力処理を行います。内蔵回路により、非常に小さい DC 電流で 0 V/+3 V または 0 V/+5 V の正電圧制御を行うことができます。
アプリケーション
- セルラ/PCS/3G インフラストラクチャ
- ISM/MMDS/WiMAX
- CATV/CMTS
- 試験用計測器
ドキュメント
品質関連資料 4
製品選択ガイド 1
テープ&リール仕様 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC536MS8G | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
HMC536MS8GE | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
HMC536MS8GETR | 8-Lead MSOP w/ EP | ||
HMC536MS8GTR | 8-Lead MSOP w/ EP |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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5 6, 2019 - 19_0063 Assembly Site Transfer of Select MSOP and SOIC_N E-pad Devices to Carsem Malaysia |
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HMC536MS8G | 製造中 | |
HMC536MS8GE | 製造中 | |
HMC536MS8GETR | 製造中 | |
HMC536MS8GTR | 製造中 | |
8 28, 2019 - 19_0204 Moisture Sensitivity Level Rating Change for Select Packaged Products |
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HMC536MS8GE | 製造中 | |
HMC536MS8GETR | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ハードウェア・エコシステム
製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 |
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HMC8038 | 新規設計に推奨 |
高絶縁、シリコンSPDT、無反射型スイッチ、0.1GHz~6.0GHz |
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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