HMC424ALP3E
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Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
from Quantic™ X-Microwave.
HMC424ALP3E
製造中0.1GHz~13.0GHz、0.5dB LSB、6ビットのGaAsデジタル・アッテネータ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
Viewing:
製品の詳細
- 減衰範囲:0.5dB(LSB)ステップで31.5dBまで
- ±0.5dBのステップ誤差(代表値)
- 低挿入損失:2.8dB(4GHz)
- VEE = −3Vで高い直線性
- 入力P0.1dB:22dBm(代表値)
- 入力IP3:45dBm(代表値)
- 高いRF入力電力処理能力:25dBm(最大値)
- 低相対位相:30°(代表値)(6.0GHz)
- 単電源動作:−3V~−5V
- 16ピン、3mm × 3mm LFCSPパッケージ
HMC424ALP3Eは、低コストのリードレス表面実装パッケージを使用した6ビットの広帯域ガリウム・ヒ素(GaAs)デジタル・アッテネータで、31.5dBの減衰制御範囲を0.5dBステップで実現します。
±(0.2dB + 減衰状態の4%)の優れた減衰精度と高い入力直線性を持ち、代表的な挿入損失は、0.1GHz~13.0GHzの仕様規定された周波数範囲全域で4dB未満です。31.5dBの合計減衰に対するアッテネータのビット値は、0.5dB(LSB)、1dB、2dB、4dB、8dB、16dBで、ステップ誤差は±0.5dB(代表値)です。
0V~VEEの範囲で切り替わる6種類の並列制御入力を使用して、減衰状態をプログラムできます。
HMC424ALP3Eは、−3V~−5Vの単一負電源で動作し、CMOS/トランジスタ・トランジスタ・ロジック(TTL)インターフェースでインターフェース接続するには外部レベル・シフタが必要です。
HMC424ALP3Eは、RoHS準拠のコンパクトな3mm × 3mm、16ピン・リード・フレーム・チップ・スケール・パッケージ(LFCSP)を採用しています。
アプリケーション
- セルラ・インフラストラクチャ
- マイクロ波無線および超小型地球局(VSAT)
- 試験装置およびセンサー
- 中間周波数(IF)設計およびRF設計
- 防衛および宇宙
ドキュメント
データシート 1
品質関連資料 1
製品選択ガイド 1
テープ&リール仕様 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC424ALP3E | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm x 0.85mm) | ||
HMC424ALP3ETR | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm x 0.85mm) |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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4 23, 2018 - 18_0055 Moisture Sensitivity Level Rating Change for Select Packaged Products |
||
HMC424ALP3E | 製造中 | |
HMC424ALP3ETR | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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