ADRF5474
ADRF5474
新規設計に推奨キャリア配置ダイ、シリコン・デジタル減衰器、2dB LSB、4ビット、10MHz~60GHz
- 製品モデル
- 3
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
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製品の詳細
- 超広帯域周波数範囲:10MHz~60GHz
- 減衰範囲:2dBステップで22dB
- ワイヤ・ボンドおよびリボン・ボンド用ボンド・パッド
- 低挿入損失
- 1.3dB(代表値、20GHzまで)
- 2.0dB(代表値、44GHzまで)
- 2.7dB(代表値、55GHzまで)
- 減衰精度
- ±(0.3 + 減衰状態の1.0%)代表値、20GHzまで
- ±(0.4 + 減衰状態の4.0%)代表値、44GHzまで
- ±(0.4 + 減衰状態の6.0%)代表値、55GHzまで
- ステップ誤差(代表値)
- ±0.30dB(代表値、20GHzまで)
- ±0.65dB(代表値、44GHzまで)
- ±1.10dB(代表値、55GHzまで)
- 高入力直線性
- P0.1dB:25.5dBm(代表値)
- IP3:45dBm(代表値)
- 大RF電力処理
- 23dBm(定常状態およびホット・スイッチング、平均)
- 24dBm(定常状態およびホット・スイッチング、ピーク)
- 緊密な分布の相対位相
- 低周波数スプリアス・シグナルなし
- パラレル・モード制御、CMOS/LVTTL互換
- RF振幅のセトリング・タイム(最終RF出力の0.1dBまで):175ns
- 16パッド、2.770mm × 1.620mm、キャリア配置ダイ(チップ)
ADRF5474は、シリコン・プロセスを使って製造した4ビットのデジタル減衰器で、ガリウム・ヒ素(GaAs)キャリア基板に取り付けられています。減衰制御範囲は2dBステップで22dBです。基板にはチップとワイヤ・アセンブリ用のボンド・パッドが備わり、デバイス底面はメタライズされており、グラウンドに接続されます。
このデバイスは10MHz~60GHzで動作し、55GHzで2.7dB以下の挿入損失と優れた減衰精度を発揮します。ADRF5474には、すべての減衰状態で平均23dBm、ピーク24dBmのRF入力電力処理能力があります。
ADRF5474は+3.3Vと−3.3Vの両電源電圧を必要とし、パラレル・モード制御、および相補型金属酸化膜半導体(CMOS)/低電圧トランジスタ・トランジスタ・ロジック(LVTTL)の互換制御を特長としています。
ADRF5474は、50Ωの特性インピーダンスにマッチするように設計されています。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 2
ビデオ 3
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
ADRF5474BCZ | CHIPS OR DIE | ||
ADRF5474BCZ-GP | CHIPS OR DIE | ||
ADRF5474BCZ-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
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