ADRF5132
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Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
from Quantic™ X-Microwave.
ADRF5132
新規設計に推奨高出力、20W ピーク、シリコンSPDT、反射スイッチ、0.7GHz~5.0GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$13.59
Viewing:
製品の詳細
- 反射、50Ω設計
- 低挿入損失:2.7GHzで0.6dB(代表値)
- TCASE = 105°Cで高出力に対応
- 長寿命(10年以上)
- ピーク電力:43dBm
- CW電力:38dBm
- 平均LTE出力(8dB PAR):35dBm
- 長寿命(10年以上)
- シングル・イベント(10秒以内の動作)
- 平均LTE出力(8dB PAR):41dBm
- 高直線性
- P0.1dB:42.5dBm(代表値)
- IP3:2.0GHz~4.0GHzで65dBm(代表値)
- ESD定格
- HBM:2kV、クラス2
- CDM:1.25kV
- 正側(供給)単電源:5V
- 正電圧制御、CMOS/TTL互換
- 16ピン3mm × 3mm LFCSPパッケージ
ADRF5132は0.7GHz~5.0GHzの高出力反射シリコン単極2投(SPDT)反射スイッチで、リードレスの表面実装パッケージを採用しています。このスイッチは、ロングターム・エボリューション(LTE)ベースのステーションのような高出力のセルラ・インフラストラクチャ・アプリケーションに最適です。ADRF5132は、35dBm LTE(105°Cでの平均代表値)の高出力に対応し、2.7GHzで0.6dBの低挿入損失、65dBm(代表値)の入力3次インターセプト、42.5dBmの0.1dB圧縮(P0.1dB)を実現します。
オンチップ回路は、5Vの正側(供給)単電源および1.1mA(代表値)の代表的な電源電流で動作し、ADRF5132はピン・ダイオード・ベースのスイッチに代わる最適なソリューションとなります。
デバイスは、RoHS準拠の16ピン小型3mm × 3mm LFCSPパッケージを採用しています。
アプリケーション
- セルラ/4Gインフラストラクチャ
- ワイヤレス・インフラストラクチャ
- 防衛および高信頼性アプリケーション
- 試験装置
- ピン・ダイオードに代わる製品
ドキュメント
データシート 2
デザイン・ノート 1
評価用設計ファイル 1
ビデオ 1
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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ADRF5132BCPZN | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) | ||
ADRF5132BCPZN-R7 | 16-Lead LFCSP (3mm x 3mm w/ EP) |
製品モデル | 製品ライフサイクル | PCN |
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5 3, 2018 - 18_0083 ADRF5132 Data Sheet Change for Pin Functions |
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ADRF5132BCPZN | 製造中 | |
ADRF5132BCPZN-R7 | 製造中 |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
ADIsimRF
ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。
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