ADRF5031
ADRF5031
新規設計に推奨9kHz～20GHz、無反射型シリコンSPDTスイッチ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格：$31.52
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製品の詳細
- 広帯域周波数範囲：9kHz～20GHz
- 無反射型50Ω設計
- 低挿入損失
- 9kHz～6GHzで0.6dB（代表値）
- 6GHz～12GHzで0.8dB（代表値）
- 20GHzまで1dB（代表値）
- 高アイソレーション
- 9kHz～6GHzで55dB（代表値）
- 6GHz～12GHzで50dB（代表値）
- 20GHzまで45dB（代表値）
- 高入力直線性
- P0.1dB：35dBm（代表値）
- IP3：62dBm（代表値）
- 大RF電力処理
- スルー・パス：35dBm（ピーク）、33dBm（平均）
- 終端パス：32dBm（ピーク）、30dBm（平均）
- ホット・スイッチング（RFC）：35dBm（ピーク）、33dBm（平均）
- ホット・スイッチング（RFx）：32dBm（ピーク）、30dBm（平均）
- CMOS/LVTTL互換
- 低周波スプリアスなし、負電圧発生器なし
- RFスイッチング時間：5.0μs
- RFセトリング時間（0.1dB）：5.3µs
- 単電源動作可能（VDD = 3.3V、VSS = 0V）
- 20端子、3mm x 3mmのLGAパッケージ
- ADRF5023およびADRF5027とピン互換
ADRF5031は、シリコン・オン・インシュレータ（SOI）プロセスを使用して製造された無反射型SPDTスイッチです。ADRF5031は9kHz～20GHzで動作し、挿入損失は1.05dB未満、絶縁は45dBを上回ります。このデバイスのRF入力電力処理能力は、順方向および逆方向のスルー・パス、RFCポートでのホット・スイッチングでは平均33dBm、ピーク35dBm、終端パスおよびRFxポートでのホット・スイッチングでは平均30dBm、ピーク32dBmです。ADRF5031は±3.3Vのデュアル電源電圧で動作し、相補型金属酸化膜半導体（CMOS）および低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック（LVTTL）互換の制御を採用しています。
ADRF5031は、負電源電圧（VSS）をグラウンドに接続し、正側単電源電圧（VDD）を印加する場合も動作します。この動作状態では、スイッチング特性、直線性、および電力処理性能はディレーティングされますが、小信号性能は維持されます。詳細については表2を参照してください。
ADRF5031は、ADRF5023およびADRF5027とピン互換であり、ADRF5030（100MHz～20GHzで動作する高速スイッチング・バージョン）ともピン互換です。
ADRF5031は、20端子、3mm × 3mmのRoHS準拠ランド・グリッド・アレイ（LGA）パッケージを採用しており、-40°C～+105°Cで動作します。
アプリケーション
- 試験用計測器
- 防衛用無線、レーダー、電子戦対抗装置（ECM）
- マイクロ波無線機、超小型地球局（VSAT）
ドキュメント
データシート 1
ユーザ・ガイド 1
| 製品モデル | ピン／パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
|---|---|---|---|
| ADRF5031BCCZN | 20-treminal LGA (3 mm x 3 mm x 0.752 mm w/EP) | ||
| ADRF5031BCCZN-R7 | 20-treminal LGA (3 mm x 3 mm x 0.752 mm w/EP) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
評価用キット
ADRF5031（9kHz～20GHz、無反射型シリコンSPDTスイッチ）の性能評価
資料
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