ADRF5030
ADRF5030
新規設計に推奨100MHz~20GHz、無反射型シリコンSPDTスイッチ
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$30.02
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製品の詳細
- 広帯域周波数範囲:100MHz~20GHz
- 無反射設計
- 低挿入損失
- 0.1GHz~6GHzで0.7dB(代表値)
- 6GHz~12GHzで0.9dB(代表値)
- ~20GHz:1.2dB(代表値)
- 高アイソレーション
- 100MHz~6GHz:55dB(代表値)
- 6GHz~12GHz:50dB(代表値)
- ~20GHz:45dB(代表値)
- 高入力直線性
- P0.1dB:>36dBm(代表値)
- IP3:60dBm(代表値)
- 大RF電力処理
- スルー・パス:36dBm(ピーク)/33dBm(平均)
- 終端パス:36dBm(ピーク)/33dBm(平均)
- ホット・スイッチング・パス:36dBm(ピーク)/33dBm(平均)
- CMOS/LVTTL互換
- 低周波スプリアスなし、負電圧発生器なし
- 高速RFスイッチング時間:70ns
- RFセトリング時間(0.1dB):95ns
- 単電源動作可能(VDD = 3.3V、VSS = 0V)
- 20端子、3mm x 3mmのLGAパッケージ
- ADRF5022およびADRF5026とピン互換
ADRF5030は、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)プロセスで製造された無反射型の単極双投(SPDT)スイッチです。1.2dBより低い挿入損失および45dBより高いアイソレーションで、100MHz~20GHzで動作します。このデバイスには、RFCとRFxスルー・パス、終端パス、およびRFCポートとRFxポートのホット・スイッチングに対して、平均33dBm/ピーク36dBmのRF入力電力処理能力を備えています。ADRF5030は±3.3Vのデュアル電源電圧で動作し、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)および低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)互換の制御を採用しています。
ADRF5030は、負電源電圧(VSS)をグラウンドに接続し、正側(供給)単電源電圧(VDD)を印加する場合も動作します。この動作状態では、スイッチング特性、直線性、および電力処理性能はディレーティングされますが、小信号性能は維持されます。詳細については表2を参照してください。
ADRF5030は、ADRF5022およびADRF5026とピン互換であり、ADRF5031(9kHz~20GHzで動作する低速スイッチング、低カットオフ・バージョン)ともピン互換です。
ADRF5030は、20端子、3mm × 3mm、RoHS準拠のランド・グリッド・アレイ(LGA)パッケージに収められています。ADRF5030は-40°C~+105°Cで動作します。
アプリケーション
- 試験用計測器
- 防衛無線、レーダー、電子戦対抗装置(ECM)
- マイクロ波無線機、超小型地球局(VSAT)
ドキュメント
データシート 2
ユーザ・ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
ADRF5030BCCZN | 20-treminal LGA (3 mm x 3 mm x 0.752 mm w/EP) | ||
ADRF5030BCCZN-R7 | LGA/CASON/CH ARRY SO NO LD |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
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