ADRF5022
ADRF5022
新規設計に推奨シリコンSPDTスイッチ、無反射型、100MHz~45GHz
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 最低価格:$75.11
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製品の詳細
- 超広帯域周波数範囲:100MHz~45GHz
- 無反射型設計
- 低挿入損失
- 18GHzで1.2dB(代表値)
- 40GHzで1.9dB(代表値)
- 45GHzで2.3dB(代表値)
- 高アイソレーション:45GHzで43dB(代表値)
- 高入力直線性
- 0.1dB電力圧縮ポイント(P0.1dB):31dBm
- 3次インターセプト・ポイント(IP3):55dBm
- TCASE = 85°Cで高出力に対応
- スルー・パス:30dBm
- 終端パス:24dBm
- ホット・スイッチング(RFCポート):30dBm
- RFのセトリング・タイム(0.1dBの最終RF出力まで):30ns
- 低周波数スプリアス・シグナルなし
- オール・オフ状態コントロール
- 正電圧制御インターフェース:CMOS/LVTTL互換
- 20端子、3.0mm × 3.0mm LGAパッケージ
- 低周波数カットオフ・バージョンADRF5023とのピン互換性
ADRF5022は、シリコン・プロセスで製造された無反射型単極双投(SPDT)スイッチです。
2.3dBの挿入損失(代表値)および43dBのアイソレーション(代表値)において、100MHz~45GHzで動作します。このデバイスのRF入力電力処理機能は、スルー・パスが30dBm、終端パスが24dBm、RF共通ポートのホット・スイッチングが30dBmです。
ADRF5022は+3.3Vの正電源と−3.3Vの負電源を必要とし、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)互換/低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)互換の制御を使用します。
ADRF5022は、負電源電圧(VSS)をグラウンドに接続し、正側(供給)単電源電圧(VDD)を印加する場合も動作します。この動作状態では、スイッチング特性、直線性、および電力処理性能はディレーティングされますが、小信号性能は維持されます。詳細については、データシートの表2を参照してください。
ADRF5022は、9kHz~45GHzで動作するADRF5023(低周波カットオフ・バージョン)とのピン互換性を備えています。
ADRF5022は、20端子、3.0mm × 3.0mmのRoHS準拠ランド・グリッド・アレイ(LGA)パッケージで提供され、 −40°C~+105°Cで動作可能です。
アプリケーション
ドキュメント
データシート 1
ユーザ・ガイド 1
アプリケーション・ノート 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
ADRF5022BCCZN | 20-Terminal Land Grid Array (LGA) | ||
ADRF5022BCCZN-R7 | 20-Terminal Land Grid Array (LGA) |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。
ツールおよびシミュレーション
Sパラメータ 1
評価用キット
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