LTC7892
推荐新设计使用适用于GaN FET的低 IQ、双通道、两相同步升压控制器
- 产品模型
- 4
产品详情
- 针对GaN FET全面优化的GaN驱动技术
- 输出电压高达100 V
- 宽 VIN范围:4 V至60 V,启动后工作电压低至1 V
- 无需续流、箝位或自举二极管
- 内部智能自举开关可防止高端驱动器电源过度充电
- 电阻可调死区时间
- 分离输出栅极驱动器,以实现可调导通和关断驱动器强度
- 精确的可调驱动器电压和UVLO
- 低工作IQ:15 μA
- 可编程频率(100 kHz至3 MHz)
- 可同步频率(100 kHz至3 MHz)
- 展频调制
- 40引脚(6 mm × 6 mm)、可湿侧面QFN封装
- 通过AEC-Q100汽车应用认证
LTC®7892是一款高性能双通道升压DC-DC开关稳压器控制器,能够驱动全N沟道同步氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级,输出电压最高可达100V。LTC7892解决了使用GaN FET时面临的许多传统挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)解决方案相比,LTC7892简化了应用设计,无需保护二极管和其他附加外部组件。
内部智能自举开关可防止BOOSTx引脚至SWx引脚高端驱动器电源在死区时间内过度充电,从而保护顶部GaN FET的栅极。支持选择性地利用外部电阻优化LTC7892的死区时间,以获得裕量,或定制应用以提高效率并允许高频运行。
LTC7892的栅极驱动电压可在4V至5.5V范围内准确调节以优化性能,并且支持使用不同的GaN FET,甚至是逻辑电平MOSFET。当由升压转换器输出偏置时,LTC7892可在启动后采用低至1V的输入电源运行。
应用
- 汽车和工业电源系统
- 军事航空电子和医疗系统
- 电信电源系统
参考资料
数据手册 1
用户手册 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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LTC7892AUJM#PBF | 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) | ||
LTC7892AUJM#TRPBF | 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) | ||
LTC7892AUJM#WPBF | 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) | ||
LTC7892AUJM#WTRPBF | 40-Lead QFN (6mm x 6mm, Plastic Side Wettable) |
这是最新版本的数据手册
工具及仿真模型
LTspice
LTspice中提供以下器件型号:
- LTC7892
LTspice®是一款强大高效的免费仿真软件、原理图采集和波形观测器,为改善模拟电路的仿真提供增强功能和模型。
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