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HMC8412

推荐新设计使用

0.4 GHz 至 11 GHz 低噪声放大器

数据手册 (Rev. B) 产品选型表
产品模型
6
产品技术资料帮助

ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许，也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。
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产品详情

  • 低噪声系数：1.4 dB（典型值）
  • 单正电源（自偏置）
  • 高增益：≤15.5 dB（典型值）
  • 高OIP3：≤33 dBm（典型值）
  • 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装
HMC8412TCPZ-EP支持防务和航空航天应用（AQEC标准）
HMC8412
0.4 GHz 至 11 GHz 低噪声放大器
HMC8412CHIPS Pin Configuration HMC8412CHIPS Functional Block Diagram HMC8412-fbl HMC8412-pc HMC8412TCPZ-EP Functional Block Diagram HMC8412TCPZ-EP Pin Configuration
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参考资料

数据手册 4

用户手册 1

应用笔记 1

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工具及仿真模型

S-参数 2

评估套件

eval board
schematic 1
Eval-HMC8412

HMC8412 评估板

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特性和优点

  • 4 层、Rogers 4350B 和 Isola 370HR 评估板。
  • 端接型 3.5 mm RF 连接器
  • 直通校准路径（未填充）

产品详情

EV1HMC8412LP2F 由采用 10 mil 厚的 Rogers 4350B 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB) 组成，形成 62 mil 的标称厚度。EV1HMC8412LP2F 上的 RFIN 和 RFOUT 端口由 3.5 mm 母头同轴连接器填充，其各自的射频迹线都有 50 Ω 特性阻抗。EV1HMC8412LP2F 填充了适合在 HMC8412 的 −40°C 至 +85°C 工作温度范围内使用的元件。为校准板的迹线损耗，J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须填充 RF 连接器才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能，请参阅表 1 和图 3。通过表面贴装技术 (SMT) 测试点连接器 GND 和 VDD，访问 EV1HMC8412LP2F 的接地路径和 VDD 引脚。随附用于 VBIAS 的补充测试点，可轻松访问 RBIAS 引脚（测试点组件见图 5）。

EV1HMC8412LP2F 上的 RF 迹线为 50 Ω 接地共面波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面，并特别关注接地焊盘正下方的区域，以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

EV1HMC8412LP2F 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。可能可减少电容器数量，但因系统而异。在减少电容器数量时，建议先移除或合并离 HMC8412 较远的较大的电容器。 

需要的设备

  • RF 信号发生器
  • RF 频谱分析仪
  • RF 网络分析仪
  • 5 V、100 mA 电源
Eval-HMC8412
HMC8412 评估板
EV1HMC8412LP2F

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