ADUM320N

推荐新设计使用

5.7 kV RMS/3.0 kV RMS双通道数字隔离器

数据手册 (Rev. D) 产品选型表

产品模型: 16

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高共模瞬变抗扰度：180 kV/μs（典型值）
对辐射和传导噪声的高抗干扰能力
低传播延迟
- 5 V工作电压下典型值：6.2 ns（最大值：10 ns）
低动态功耗，1 Mbps时<1.65 mA/通道
2.25 V至5.5 V电平转换
最大保证数据速率：150 Mbps
工作温度高达：125℃
安全和法规认证
- UL认证(UL1577)
  - 5700 V rms (SOIC_IC)
  - 3000 V rms (SOIC_N)
- VDE合格证书
  - V_IORM = 1173 V_PEAK (SOIC_IC)
  - V_IORM = 636 V_PEAK (SOIC_N)
- CSA元件认证，符合IEC 62368-1和IEC 61010-1标准
- TÜV SÜD元件认证，符合EN 62368-1标准
- CQC元件认证，符合GB4943.1-2022标准

±8 kV IEC 61000-4-2 ESD隔离栅保护
输入/输出引脚上提供±4 kV HBM ESD保护
故障安全高(N1)或低(N0)选项
SOIC_N向后兼容
- ADuM1200/ADuM1201/ADuM1210/ADuM1211
- ADuM3200/ADuM3201/ADuM3210/ADuM3211
- ADuM120N/ADuM121N
通过AEC-Q100汽车应用认证
工作温度范围：−40°C至+125°C
采用8引脚、窄体、符合RoHS标准的标准小型SOIC_N封装，以及8引脚、宽体、符合RoHS标准的标准小型SOIC_IC封装

参考资料

数据手册 1

ADuM320N/ADuM321N: 5.7 kV RMS/3.0 kV RMS Dual Digital Isolators Data Sheet (Rev.D) 09/18/2024

用户手册 1

UG-2122: Evaluating the ADuM320N/ADuM321N, 5.7 kV RMS/3.0 kV RMS Dual Digital Isolators (Rev.0) 07/31/2023

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
ADUM320N0BRIZ	8-Lead SOIC (Increased Creepage)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N0BRIZ-RL	8-Lead SOIC (Increased Creepage)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N0BRZ	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N0BRZ-RL7	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N0WBRIZ	8-Lead SOIC (Increased Creepage)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N0WBRIZ-RL	8-Lead SOIC (Increased Creepage)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N0WBRZ	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N0WBRZ-RL7	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N1BRIZ	8-Lead SOIC (Increased Creepage)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N1BRIZ-RL	8-Lead SOIC (Increased Creepage)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N1BRZ	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N1BRZ-RL7	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N1WBRIZ	8-Lead SOIC (Increased Creepage)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N1WBRIZ-RL	8-Lead SOIC (Increased Creepage)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N1WBRZ	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
ADUM320N1WBRZ-RL7	8-Lead SOIC	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

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IBIS 模型 1

ADUM320N - IBIS Model

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特性和优点

简化ADuM320N/ADuM321N数字隔离器系列的评估
未插入U3以便评估其他采用8引脚SOIC_N封装的受支持iCoupler数字隔离器
采用小型、简单的配置，经过优化后有助于在试验板/原型制作板上进行快速评估
可安装测试点来测量信号

产品详情

EVAL-ADuM32XNEBZ评估板支持对iCoupler^®数字隔离器的3 kV RMS ADuM320N/ADuM321N系列进行经过简化的高效评估。EVAL-ADuM32XNEBZ评估板还支持通过未填充的U3检查多个其他8引脚SOIC_N iCoupler数字隔离器，U3能够为用户提供适用于评估受支持器件的JEDEC标准8引脚SOIC_N焊盘布局和布线。

EVAL-ADuM32XNEBZ评估板在每个元件（U1至U3）之间具有V形凹槽，便于用户将PCB分成多个部分，并在试验板或类似原型制作板上检查他们选择的特定器件，以方便使用。如果U3填充了不同的受支持器件，请参阅相应器件的数据手册。

电源和输入/输出可以直接连接到引脚接头连接器或原型制作板上。

EVAL-ADuM32XNEBZ评估板遵循印刷电路板(PCB)设计实践，隔离栅两侧分别集成接地层。该板没有其他电磁干扰(EMI)或削减噪声的设计特性。

有关被测器件(DUT)的完整规格，请参阅ADI公司的ADuM320N/ADuM321N数据手册。使用EVAL-ADuM32XNEBZ评估板时，必须同时参阅数据手册和用户指南。

资料

UG-2122: Evaluating the ADuM320N/ADuM321N, 5.7 kV RMS/3.0 kV RMS Dual Digital Isolators (Rev.0)
389.95 K

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