ADL8150

推荐新设计使用

GaAs、HBT、MMIC、低相位噪声放大器，6 GHz至14 GHz

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产品详情

  • OP1dB：18 dBm（典型值，7 GHz至12 GHz时）
  • PSAT：22 dBm（典型值，7 GHz至12 GHz时）
  • 增益：12 dB（典型值，7 GHz至12 GHz时）
  • OIP3：30 dBm（典型值）
  • 相位噪声：-172 dBc/Hz（10 kHz失调时）
  • 电源电压：5 V (74 mA)
  • 6引脚、2 mm × 2 mm LFCSP
ADL8150
GaAs、HBT、MMIC、低相位噪声放大器，6 GHz至14 GHz
ADL8150ACHIP Functional Block Diagram ADL8150ACHIP Pin Configuration
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用户手册 1

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工具及仿真模型

S-参数 2

评估套件

eval board
schematic 1
schematic 2
schematic 3
EVAL-ADL8150

评估 6 GHz 至 14 GHz、ADL8150 GaAS、HBT、MMIC、低相位噪声放大器

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特性和优点

  • 4 层、Rogers 4350B 和 Isola 370HR 评估板。
  • 端接型 2.9 mm RF 连接器
  • 直通校准路径（未接入设备）

产品详情

ADL8150-EVALZ 由用 10 mil 厚的 Rogers 4350B 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB) 组成，形成 62 mil 的标称厚度。ADL8150-EVALZ 上的 RFIN 和 RFOUT 端口接入 2.9 mm 母头同轴连接器，其各自的 RFIN 和 RFOUT 迹线都具有 50 Ω 特性阻抗。ADL8150-EVALZ 装有适合在 ADL8150 的整个 -40°C 至 + 85°C 工作温度范围内使用的组件。为校准板的回溯损耗，J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须安装 RF 连接器，才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能，请参阅表 2 和图 3。

在 ADL8150-EVALZ 中，集成了一个具有超低噪声、超高电源电压抑制比 (PSRR) 的线性稳压器。该低噪声调节器提供了干净的电源，来对 ADL8150 进行偏置。

ADL8150-EVALZ 上的 RFIN 和 RFOUT 迹线为 50 Ω、接地共面波导。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面，并特别关注接地焊盘正下方的区域，以便提供充分的导电性和导热性。

ADL8150-EVALZ 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。有关 ADL8150 的完整详细信息，请参阅 ADL8150 数据手册，在使用 ADL8150-EVALZ 时，必须同时参阅该数据手册和本用户指南。
EVAL-ADL8150
评估 6 GHz 至 14 GHz、ADL8150 GaAS、HBT、MMIC、低相位噪声放大器
ADL8150 Evaluation Board ADL8150 Evaluation Board - Top View ADL8150 Evaluation Board - Bottom View

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