ADL8142S
推荐新设计使用GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，23 GHz 至 31 GHz
- 产品模型
- 2
产品详情
- 低噪声指数：1.6 dB（典型值，27 GHz 至 31 GHz 时）
- 单正电源（自偏置）
- 高增益：27 dB（典型值，27 GHz 至 31 GHz 时）
- 高 OIP3：21.5 dBm（典型值，27 GHz 至 31 GHz 时）
- 符合 RoHS 标准的 2 mm × 2 mm、8 引脚 LFCSP 封装
- 晶圆扩散批次可追溯性
- 辐射批次验收测试 (RLAT)
- 总电离辐射剂量 (TID)
- 辐射基准
- 单粒子闩锁 (SEL)
ADL8142S-CSL 是一款砷化镓 (GaAs)、单片式微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作频率范围为 23 GHz 至 31 GHz。在 27 GHz 至 31 GHz 范围内，ADL8142S-CSL 提供 27 dB 典型增益、1.6 dB 典型噪声指数和 21.5 dBm 典型输出三阶交调截点 (OIP3)，采用 2 V 电源电压时功耗仅为 25 mA。请注意，可通过较大的漏极电流改善 OIP3。ADL8142S-CSL 还具有交流耦合的输入和输出，内部匹配至 50 Ω，因而非常适合高容量微波射频应用。
ADL8142S-CSL 采用符合 RoHS 标准的 2 mm × 2 mm 8 引脚 LFCSP 封装。如需了解更多应用和技术信息，请参阅商用航空级产品计划手册和ADL8142数据手册。
应用
- 近地轨道 (LEO) 空间有效载荷
- 卫星通信
参考资料
高剂量率辐射报告 1
单事件效应辐射报告 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADL8142ACPZN-CSL | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 | ||
| ADL8142ACPZN-R7-CSL | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 |
| 产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
|---|---|---|
|
1月 19, 2024 - 23_0146 Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products |
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| ADL8142ACPZN-CSL | 量产 | |
| ADL8142ACPZN-R7-CSL | 量产 | |
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9月 21, 2022 - 22_0217 Moisture Sensitivity Level Rating Change for ADL8142 |
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| ADL8142ACPZN-CSL | 量产 | |
| ADL8142ACPZN-R7-CSL | 量产 | |
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工具及仿真模型
S-参数 1
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