ADL8142

推荐新设计使用

GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，23 GHz至31 GHz

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2
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产品详情

  • 低噪声系数：1.6 dB（典型值，27 GHz至31 GHz时）
  • 单正电源（自偏置）
  • 高增益：27 dB（典型值，27 GHz至31 GHz时）
  • 高OIP3：21.5 dBm（典型值，27 GHz至31 GHz时）
  • 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装
ADL8142
GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，23 GHz至31 GHz
ADL8142 - Functional Block Diagram ADL8142 - Pin Configuration
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S-参数 1

评估套件

eval board
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EVAL-ADL8142

评估 ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，23 GHz 至 32 GHz

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特性和优点

  • 4 层、Rogers 4003C 和 Isola Group 370HR 评估板
  • 端接型，2.92 mm RF 连接器
  • 直通校准路径（未接入设备）

产品详情

ADL8142-EVALZ 由用 8 毫米厚的 Rogers 4003C 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB) 组成，形成 62 毫米的标称厚度。ADL8142-EVALZ 上的 RFIN 和 RFOUT 端口由 2.92 mm 母头同轴连接器填充，其各自的射频回溯都有 50 Ω 特性阻抗。ADL8142-EVALZ 装有适合在 ADL8142 的整个 -40°C 至 + 85°C 工作温度范围内使用的组件。为校准板的回溯损耗，J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须安装 RF 连接器，才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能，请参阅用户手册中的表 1 和图 3。

连接ADL8107-EVALZ 的接地路径和 VDD 引脚需要通过表面贴装技术 (SMT) 测试点连接器、GND 和 VDD。​随附用于 VBIAS 的补充测试点，可轻松访问 RBIAS 引脚（测试点组件见图 5）。

ADL8142-EVALZ 上的 RF 回溯为 50 Ω，接地共勉波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面，并特别关注接地焊盘正下方的区域，以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

ADL8142-EVALZ 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。

有关 ADL8142 的完整详细信息，请参阅 ADL8142 数据手册，在使用 ADL8142-EVALZ 时，必须同时参阅该数据手册和本用户指南。
EVAL-ADL8142
评估 ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，23 GHz 至 32 GHz
ADL8142 Evaluation Board - Angle ADL8142 Evaluation Board -Top ADL8142 Evaluation Board -Bottom

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