ADL8142-2

推荐用于新设计

GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23 GHz至31 GHz

产品技术资料帮助

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产品详情

ADL8142-2CHIP
  • 低噪声系数:1.8 dB(典型值,27 GHz至31 GHz时)
  • 单正电源(自偏置)
  • 高增益:26.5 dB(典型值,27 GHz至31 GHz时)
  • 高OIP3:20 dBm(典型值,27 GHz至31 GHz时)
  • 裸片尺寸:0.945 mm × 1.015 mm × 0.100 mm
商用航空级特性
  • 晶圆扩散批次可追溯性
  • 辐射基准
  • 总电离剂量(TID):30次碰撞
  • 单粒子闩锁(SEL):≥62.4 MeV-cm2/mg
ADL8142-2
GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23 GHz至31 GHz
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