ADL8100
推荐新设计使用GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,0.01 GHz至20 GHz
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产品详情
- 低噪声系数:2.5 dB(典型值,6 GHz至14 GHz时)
- 单正电源(自偏置)
- 高增益:20 dB(典型值,0.01 GHz至6 GHz)
- 高OIP3:38 dBm(典型值,0.01 GHz至6 GHz)
- 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装
ADL8100是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、宽带低噪声放大器(LNA),工作频率范围为0.01 GHz至20 GHz。ADL8100在0.01 GHz至6 GHz范围内提供20 dB典型增益,在6 GHz至14 GHz范围内提供2.5 dB典型噪声系数,在0.01 GHz至6 GHz范围内提供38 dBm典型输出三阶交调点(OIP3),采用5 V电源电压时功耗仅为220 mA。可通过牺牲OIP3和输出功率来降低功耗。ADL8100还具有内部匹配50Ω的直流耦合输入和输出。
ADL8100采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm、8引脚LFCSP封装。
应用
参考资料
数据手册 1
用户手册 1
技术文章 1
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产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
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ADL8100ACPZN | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 | ||
ADL8100ACPZN-R7 | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 |
产品型号 | 产品生命周期 | PCN |
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9月 28, 2023 - 23_0146 Process Revision for Select Low Noise Amplifier Products |
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ADL8100ACPZN | 量产 | |
ADL8100ACPZN-R7 | 量产 |
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S-参数 1
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