ADH-ALH444S
推荐新设计使用1 GHz to 12 GHz, Low Noise Amplifier
- 产品模型
- 1
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产品详情
- Noise Figure: 1.75 dB @ 10 GHz
- Gain: 17 dB
- P1dB Output Power: +19 dBm @ 5 GHz
- Supply Voltage: +5V @ 55 mA
- Die Size: 2.64 mm x 1.64 mm x 0.1 mm
- Screened in accordance with MIL-PRF-38534, Class K
The ADH-ALH444S is a GaAs MMIC HEMT Low Noise Wideband Amplifier die which operates between 1 GHz and 12 GHz. The amplifier provides 17dB of gain, 1.5dB noise figure and +19 dBm of output power at 1dB gain compression while requiring only 55 mA from a +5V supply voltage.
Applications
- Wideband Communication Systems
- Point-to-Point Radios
- Point-to-Multi-Point Radios
- Test Instrumentation
- VSAT
- Military & Space
参考资料
应用笔记 1
控制图纸 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC8532 | CHIPS OR DIE |
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