ADL8102

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GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，1 GHz至22 GHz

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产品详情

  • 单个正电源（自偏置）
  • 增益：27 dB（典型值，9 GHz至19 GHz时）
  • OP1dB: 13.5 dB（典型值，1 GHz至9 GHz时）
  • OIP3: 25 dBm（典型值，1 GHz至9 GHz时）
  • 噪声系数：2.5 dB（典型值，9 GHz至19 GHz时）
  • 符合RoHS标准的3 mm x 3 mm、16引脚LFCSP封装
ADL8102
GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，1 GHz至22 GHz
ADL8102 - Functional Block Diagram ADL8102 - Pin Configuration
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S-参数 1

评估套件

eval board
schematic 1
schematic 2
schematic 3
EVAL-ADL8102

评估采用单个正电源的1 GHz至20 GHz宽带低噪声放大器ADL8102

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特性和优点

  • 2层Rogers 4350B评估板
  • 端接型、2.9 mm RF连接器
  • 直通校准路径（减少布线）

    • 产品详情

    ADL8102-EVALZ是一块2层印刷电路板(PCB)，由10 mil厚的Rogers 4350B和铜箔制成。

    ADL8102-EVALZ上的RFIN和RFOUT端口配有2.9 mm插口同轴连接器，相应的RF走线具有50 Ω特征阻抗。ADL8102-EVALZ上装配的组件适合在−40°C至+85°C整个工作温度范围内使用。

    为校准电路板的走线损耗，在J1和J2连接器之间提供了一个直通校准路径THRUCAL。J1和J2必须安装RF连接器才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径性能的信息，请参阅用户指南中的表1和图3。

    通过表贴技术(SMT)测试点连接器GND和VDD访问ADL8102-EVALZ接地路径和VDD引脚。可通过RBIAS引脚轻松访问VBIAS的辅助测试点（有关测试点位置，请参见用户指南中的图5）。

    ADL8102-EVALZ上的RF走线为50 Ω、接地共面波导走线。封装接地引线和裸露焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔用于连接顶部和底部接地平面，并特别集中在接地焊盘正下方的区域，以便提供充分的导电性和导热性。

    ADL8102-EVALZ上的电源去耦电容代表用于表征和评定器件的配置。

    有关ADL8102的完整规格，请参考ADI公司的ADL8102数据手册。使用ADL8102-EVALZ评估板时，必须同时参阅数据手册和用户指南。
    EVAL-ADL8102
    评估采用单个正电源的1 GHz至20 GHz宽带低噪声放大器ADL8102
    ADL8102 Evaluation Board - Angle ADL8102 Evaluation Board - Top ADL8102 Evaluation Board - Bottom

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