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無線周波数(RF)の窒化ガリウム(GaN)ソリューション

GaNパワー・アンプは高い効率を備えたコンパクトな実装で高出力を実現し、更にその結果として熱放出量の減少やシステム全体としての効率向上を実現して、システム設計の複雑さを抑制します。また、GaNアンプは狭帯域幅と広帯域幅の両方で極めて優れた直線性を発揮し、信号の忠実度を保証してシステムの性能を向上させます。アナログ・デバイセズのGaNパワー・アンプは本質的に信頼性と耐久性に優れていることから、航空宇宙および防衛、通信、試験および計測市場向けのRFシステム設計における実用性の高い選択肢となっており、過酷な環境下でも長期にわたり信頼できる動作を保証します。

 

価値と利点

アナログ・デバイセズのGaNパワー・アンプが提供する業界最先端の性能と比類のない設計サポートは、設計者が検出、増幅、および通信リンクの性能に関わる厳しい目標を実現し、ソリューションをより迅速に市場へ投入して、差別化された機能を最終顧客に提供することを可能にします。

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出力結合損失を減らしてPAEの向上を実現

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GaNのブレークダウン電圧を上げて出力を向上

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電力密度と熱伝導率の向上による利益

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アナログ・デバイセズは、RF、リニア、コンバータ、パワー・マネジメント、その他の製品用に、回路やボード・レベルのシミュレーションのニーズに応えるシミュレーション・モデルを提供しています。

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