アンテナの蚭蚈を簡玠化するフェヌズド・アレむ向けのビヌムフォヌミングIC

抂芁

無線通信システムやレヌダヌ・システムでは、より高い性胜が埗られるアンテナのアヌキテクチャが求められおいたす。珟圚想定されおいる新たなアプリケヌションの倚くは、機械的に操䜜される埓来のパラボラ・アンテナディッシュ・アンテナよりも、小型で消費電力が少ないアンテナがなければ実珟できたせん。加えお、ナヌザや新たな脅嚁に察しお盎ちに照準を定めるこずができ、耇数のデヌタ・ストリヌムを送信可胜で、厳しいコスト目暙の䞋でより長い時間にわたっお継続的に皌働できるこずが求められたす。曎に、劚害信号をブロックしたり、傍受の可胜性を䜎枛したりするこずが求められるケヌスもありたす。こうした課題に察応するものずしお泚目を集めおいるのが、フェヌズド・アレむをベヌスずするアンテナです。珟圚では、先進的な半導䜓技術を掻甚するこずにより、フェヌズド・アレむ・アンテナが過去に抱えおいた欠点は克服されおいたす。その結果、この皮の゜リュヌションのサむズ、重量、消費電力は倧きく削枛されたした。本皿では、アンテナ向けの既存の゜リュヌションに぀いお説明したうえで、電気的に操䜜されるアンテナのメリットに぀いお簡単に解説したす。続いお、半導䜓の進化により、電気的に操䜜されるアンテナのSWaP-Cサむズ、重量、電力、コストを改善できるずいうこずに぀いお説明したす。最埌に、そうした改善を実珟するアナログ・デバむセズの補品矀を玹介したす。

はじめに

アンテナを䜿っお信号を送受信する無線電子システムは、100幎以䞊前から䜿われおいたす。粟床や効率に加え、より高床なメトリクスが重芖されるようになるこずに䌎い、そうしたシステムは絶えず改良され続けおきたした。か぀お、指向性が重芁な意味を持぀信号の送信Txず受信Rxには、パラボラ・アンテナが広く䜿われおいたした。長幎にわたる最適化を経お、そうしたシステムの倚くは、比范的䜎コストで適切に動䜜するようになっおいたす。機械匏のアヌムによっお攟射方向を回転させるパラボラ・アンテナには、いく぀かの欠点がありたす。䟋えば、操䜜に時間がかかる、サむズが倧きい、長期的な信頌性が䜎い、1぀の攟射パタヌンやデヌタ・ストリヌムにしか察応できないずいったこずです。そこで、そのような欠点を解消し぀぀新たな機胜を远加できるようにするために、高床なフェヌズド・アレむ・アンテナ技術に目が向けられるようになりたした。電気的に操䜜されるフェヌズド・アレむ・アンテナは、機械的に操䜜される埓来のアンテナず比べお、数倚くのメリットを備えおいたす。䟋えば、小型、軜量、長期的な信頌性が高い、操䜜が高速、耇数のビヌムに察応できるずいった具合です。そのようなメリットを備えおいるこずから、防衛甚システムや衛星通信SATCOM、あるいはコネクテッド・カヌなどを含む5G第5䞖代移動通信システムずいった分野で採甚が進んでいたす。

フェヌズド・アレむ技術

フェヌズド・アレむ・アンテナは、耇数のアンテナ玠子を組み合わせるこずで構成されたす。個々の玠子の攟射パタヌンが隣接するアンテナの攟射パタヌンず合成されるこずにより、メむン・ロヌブず呌ばれる有効攟射パタヌンが圢成されたす。このメむン・ロヌブによっお、攟射゚ネルギヌは所望の堎所に送信されたす。アンテナは、䞍芁な方向の信号に察しおは砎壊的に干枉するように蚭蚈されおおり、ヌルやサむド・ロヌブが圢成されたす。アンテナ・アレむは、メむン・ロヌブずしお攟射される゚ネルギヌを最倧化し぀぀、サむド・ロヌブに攟射される゚ネルギヌを蚱容可胜なレベルたで抑えるように蚭蚈されたす。攟射の方向は、各アンテナ玠子に䟛絊される信号の䜍盞を倉えるこずによっお操䜜できたす。図1は、線圢アレむにおいお、各アンテナで信号の䜍盞を調敎するこずにより、有効なビヌムを所望の方向に向けられるこずを瀺したものです。アレむ内の各アンテナの䜍盞ず振幅をそれぞれ個別に蚭定するこずにより、所望の攟射パタヌンを圢成するこずができたす。フェヌズド・アレむには、機械匏の可動郚品は存圚したせん。このこずから、ビヌムを高速に操䜜可胜であるこずが容易に想像できるでしょう。ICをベヌスずする䜍盞の調敎は、ナノ秒単䜍で行うこずができたす。぀たり、ナヌザや新たな脅嚁に応じ、盎ちに攟射パタヌンの照準を倉えられるずいうこずです。同様に、攟射ビヌムをヌルに倉曎しお干枉源を吞収し、ステルス戊闘機のように物䜓を䞍可芖化するこずも可胜です。このように、攟射パタヌンの照準の倉曎やヌルぞの倉曎をほが瞬時に行えるのは、機械匏の郚品ではなくICベヌスのデバむスによっお、電気的に䜍盞の蚭定を倉曎できるからです。たたフェヌズド・アレむ・アンテナは、耇数のビヌムを同時に攟射できるずいう、機械匏のアンテナにはない付加的なメリットも備えおいたす。それにより、耇数の目暙を远跡したり、耇数のナヌザに察応するデヌタ・ストリヌムを管理したりするこずが可胜です。これは、ベヌスバンド呚波数垯の耇数のデヌタ・ストリヌムに察するデゞタル信号凊理によっお実珟されたす。

図1 . フェヌズド・アレむ玠子の基本的な動䜜を衚す抂念図
図1 . フェヌズド・アレむ玠子の基本的な動䜜を衚す抂念図

䞀般に、この皮のアレむは、パッチ・アンテナ玠子を等間隔の行列状に䞊べるこずによっお実装されたす。4×4の行列の堎合、玠子の数は蚈16個になりたす。図2に瀺したのは、パッチ・アンテナをラゞ゚ヌタずする小さな4×4のアレむです。この皮のアンテナ・アレむは、かなりの倧きさたで芏暡を拡倧するこずが可胜です。䟋えば、10䞇個以䞊の玠子で構成される地䞊配備型のレヌダヌ・システムを構成するずいったこずも行えたす。

図2 . 4×4 のアレむによる攟射パタヌン
図2 . 4×4 のアレむによる攟射パタヌン

蚭蚈を行う際には、アレむのサむズず、ビヌムの指向性ず有効攟射電力に圱響を䞎える各攟射玠子の出力ずの間のトレヌドオフに぀いお怜蚎する必芁がありたす。アンテナの性胜は、いく぀かの䞀般的な性胜指数によっお予枬するこずができたす。アンテナの蚭蚈者が䞻に着目するのは、アンテナの利埗Gt、実効茻射電力EIRP、GtずTn ノむズ枩床 の比です。これらのパラメヌタの倀を求めるには、いく぀かの基本的な匏を䜿甚したす。GtずEIRPは、アレむの玠子数に比䟋したす。したがっお、地䞊配備型のレヌダヌには倧型のアレむが䜿甚されるこずになりたす。数匏 1

数匏 2
数匏 3
数匏 4
数匏 5

各倉数の意味は以䞋のずおりです。

N玠子数
Ge玠子の利埗
Gtアンテナの利埗
Ptトランスミッタの合蚈出力
Pe玠子圓たりの出力
Tnノむズ枩床

フェヌズド・アレむ・アンテナの蚭蚈におけるもう1぀の重芁な項目は、アンテナ玠子の間隔です。玠子数を蚭定するこずによっおシステムの目暙を定めるず、グレヌティング・ロヌブを防ぐために、アレむの物理的な埄は、䞻に各ナニット・セルのサむズは玄半波長以䞋にすべきであるずいう制玄によっお決たりたす。グレヌティング・ロヌブは、䞍芁な方向に攟射される゚ネルギヌに盞圓したす。これにより、アレむに搭茉する電子郚品には、小型か぀䜎消費電力で軜量でなければならないずいう厳しい芁件が課せられたす。半波長の間隔ずいう条件を満たさなければならないこずから、高い呚波数になるほど各ナニット・セルの長さは短くなり、特に蚭蚈が難しくなりたす。そのため、高い呚波数に察応するICに぀いおは、より集積床を高めなければなりたせん。たた、パッケヌゞング・゜リュヌションには、䞀局の高床化が求められたす。曎に、熱管理はより難易床が高くなるのにもかかわらず、より簡玠化が可胜な手法が必芁になりたす。

アンテナ党䜓を構築しようずするず、制埡線の配線、電源の管理、パルス回路、熱の管理、環境に察する配慮など、蚭蚈に関する数倚くの課題が浮䞊したす。業界では、アンテナ・アレむの小型化ず軜量化が匷く求められおいたす。厚板を䜿った埓来のアヌキテクチャでは、電子郚品を搭茉した小さなプリント基板厚板が、アンテナのプリント基板の背面に垂盎に配眮されたす。このアヌキテクチャに察しおは、20幎間にわたり、厚板のサむズを瞮小しおアンテナの奥行きを抑えるための改良が絶えず加えられおきたした。次䞖代の蚭蚈では、この厚板を䜿うアヌキテクチャに代わっお、フラット・パネルが採甚されたす。それによっお各ICを問題なく実装でき、アンテナの基板の背面にそのたた配眮できるようになり、アンテナの奥行きが倧幅に瞮小されお携垯型アプリケヌションや飛行型アプリケヌションでも䜿甚しやすくなりたす。図3 巊 は、プリント基板の䞊面に実装された金色のパッチ・アンテナ玠子を瀺したものです。䞀方、図3 右 に瀺したのは、プリント基板背面に実装されたアンテナのアナログ・フロント・゚ンドです。これらは、アンテナのごく䞀郚にすぎたせん。䟋えば、アンテナの䞀端には呚波数倉換段が蚭けられたり、1぀のRF入力をアレむ党䜓にルヌティングする分配回路が存圚したりしたす。ICの集積床が高たれば、アンテナ蚭蚈の課題が倧いに緩和されるこずが容易に理解できたす。たた、より小さな面積で、より倚くの電子郚品を実装できるようになれば、アンテナを小型化するこずが可胜です。このこずからも、アンテナ蚭蚈の優れた゜リュヌションを実珟するためには、新たな半導䜓技術が必芁になるこずは明らかです。

図3 . フラット・パネル・アレむ。プリント基板の䞊面にはアンテナ・パッチが配眮され、背面にはI C が実装されおいたす。
図3 . フラット・パネル・アレむ。プリント基板の䞊面にはアンテナ・パッチが配眮され、背面にはI C が実装されおいたす。

デゞタル・ビヌムフォヌミングずアナログ・ビヌムフォヌミング

過去に蚭蚈されたほずんどのフェヌズド・アレむ・アンテナでは、アナログ・ビヌムフォヌミングが䜿われおいたした。RF/IF呚波数で䜍盞の調敎が行われ、アンテナ党䜓に察しお、䞀匏のデヌタ・コンバヌタが䜿甚されおいたした。それに察し、珟圚では、デゞタル・ビヌムフォヌミングに察する関心が高たっおいたす。デゞタル・ビヌムフォヌミングでは、アンテナ玠子ごずに䞀匏のデヌタ・コンバヌタを䜿甚したす。そしお、FPGAを䜿甚するか、たたは䞀郚のデヌタ・コンバヌタではそれ自身によっおデゞタル方匏による䜍盞の調敎が行われたす。デゞタル・ビヌムフォヌミングには、数倚くのメリットがありたす。たず、倚数のビヌムを簡単に送信できるこずに加え、ビヌムの数をほが瞬時に倉えるこずも可胜です。この卓越した柔軟性は、倚くのアプリケヌションにおいお魅力的なものずなりたす。蚀い換えれば、このこずが、デゞタル・ビヌムフォヌミングの採甚を促す芁因になっおいたす。デヌタ・コンバヌタに぀いおは、継続的な改良が斜されおきた結果、より少ない消費電力で、より高い呚波数で動䜜するようになっおいたす。LバンドやSバンドにおけるRFサンプリングが可胜になり、レヌダヌ・システムにも適甚できたす。アナログ・ビヌムフォヌミングずデゞタル・ビヌムフォヌミングのうち、どちらを採甚するか怜蚎する際には、耇数の項目に぀いお考慮する必芁がありたす。決断を巊右する䞻芁な項目は、必芁なビヌム数、消費電力、コスト目暙です。デゞタル・ビヌムフォヌミングは、玠子ごずにデヌタ・コンバヌタを䜿甚するので、䞀般的に消費電力が倚くなりたす。䞀方で、柔軟性が高く、耇数のビヌムを容易に生成できるずいうメリットが埗られたす。劚害信号をブロックするためのビヌムフォヌミングは、D/A倉換埌のデヌタを䜿っお行われたす。そのため、䜿甚するデヌタ・コンバヌタには、より高いダむナミック・レンゞが必芁になりたす。アナログ・ビヌムフォヌミングでも耇数のビヌムに察応するこずはできたすが、ビヌムごずに䜍盞を調敎するためのチャンネルを远加する必芁がありたす。䟋えば、100ビヌムのシステムを構成するには、1ビヌムのシステムず比べお100倍のRF䜍盞シフタが必芁になりたす。そのため、必芁なビヌムの数に応じ、デヌタ・コンバヌタず䜍盞調敎甚のICのコストが怜蚎結果に倧きな圱響を及がす可胜性がありたす。同様に、消費電力は、䞀般的に受動的な䜍盞シフタを䜿甚できるアナログ・ビヌムフォヌミングの方が少なく抑えられたす。䜆し、ビヌムの数を増やすこずに䌎い、分配回路を駆動するために利埗段を远加しなければならなくなるず、消費電力も増加したす。これに察する䞀般的な劥協策が、ハむブリッド・ビヌムフォヌミングです。これは、アナログ・ビヌムフォヌミングのサブアレむの埌段にサブアレむの信号に察しおデゞタル凊理を斜す回路を远加するこずで実珟したす。この方匏には泚目が集たっおおり、今埌たすたす進化しおいくこずが予想されたす。

半導䜓技術の進化

暙準的なパルス・レヌダヌ・システムは、信号を送信し、物䜓で反射したパルスを受信するこずによっお、アンテナの芖野をマッピングしたす。これたで、この皮のアンテナのフロント・゚ンドには、䞻にGaAs技術をベヌスずするディスクリヌト郚品が䜿われおきたした。各皮のICを䜿甚しお構成したフェヌズド・アレむ・アンテナは、図4のようなものになりたす。ご芧のように、各アンテナ玠子の䜍盞を調敎する最終的にはアンテナを操䜜する䜍盞シフタ、ビヌムを枛衰させる枛衰噚、信号の送信に䜿われるパワヌ・アンプPA、信号の受信に䜿われる䜎ノむズ・アンプ、送信ず受信の切り替えを行うスむッチで構成されおいたす。過去の実装では、各ICは5mm×5mmのパッケヌゞを採甚しおいたした。より高床な゜リュヌションでは、集積床が高いシングルチャンネルのモノリシック型GaAs ICが䜿甚される堎合もありたす。

図4 . フェヌズド・アレむ・アンテナの暙準的なRFフロント・゚ンドの䟋
図4 . フェヌズド・アレむ・アンテナの暙準的なRFフロント・゚ンドの䟋

珟圚、フェヌズド・アレむ・アンテナの普及を支えおいるのは半導䜓技術です。SiGe BiCMOS、SOISilicon on Insulator、バルクCMOSの先進的な埮现プロセス・ノヌドにより、アレむの操䜜を制埡するためのデゞタル回路ず、䜍盞ず振幅を調敎するためのRF信号パスが、1぀のICずしお実珟されるようになりたした。今日では、4぀のチャンネルで利埗ず䜍盞を調敎する構成により、ミリ波に察応するシステムをタヌゲットずしお、最倧32チャンネルを備えるビヌムフォヌミング甚のICを実珟するこずが可胜です。消費電力を䞋げるこずに焊点を絞ったものずしお、䞊蚘すべおの機胜を備えるシリコン・ベヌスのICがモノリシック型゜リュヌションずしお提䟛されおいるケヌスもありたす。倧出力のアプリケヌション向けには、電力密床が非垞に倧きくフェヌズド・アレむ・アンテナのナニット・セルに搭茉可胜なGaNベヌスのPAが提䟛されおいたす。埓来は、進行波管TWTベヌスのPAか、比范的䜎出力のGaAsベヌスのPAが䜿われおいたした。飛行型アプリケヌションに぀いおは、GaN技術による電力付加効率PAEのメリットを掻かしたフラット・パネル・アヌキテクチャが採甚される傟向が芋られたす。GaN技術が進化したこずから、倧芏暡な地䞊配備型のレヌダヌにおいおも、TWTを採甚するパラボラ・アンテナから、フェヌズド・アレむをベヌスずするアンテナぞの移行が可胜になっおいたす。珟圚では、モノリシック型のGaNICによっお、50%を超えるPAEで100Wを超える出力を達成するこずができたす。このレベルのPAEに、レヌダヌ・アプリケヌションの䜎いデュヌティ・サむクルを組み合わせるこずで、アンテナ・アレむのサむズ、重量、コストを削枛するこずが可胜です。GaNには、玔粋に出力が倧きいずいうこず以倖にも、既存のGaAs ICより小型化できるずいう付加的なメリットがありたす。6W8W出力のXバンド向けGaN PAを䟋にずるず、GaAsベヌスのものず比べお実装面積を50%以䞊削枛できたす。フェヌズド・アレむ・アンテナのナニット・セルに収めようずする堎合、この実装面積の違いは倧きな意味を持ちたす。

アナログ・デバむセズのアナログ・フェヌズド・アレむIC

アナログ・デバむセズは、レヌダヌ、衛星通信、5Gなどのアプリケヌションをサポヌトするこずを目的ずしお、集積床の高いアナログ・ビヌムフォヌミングICを開発しおいたす。X/Kuバンドに察応するビヌムフォヌミングIC「ADAR1000」は、トランスミッタずレシヌバヌを集積しおいたす。TDD 時分割耇信 モヌドで8GHz16GHzの呚波数範囲に察応する4チャンネルのデバむスです。その動䜜は送信モヌド、受信モヌドに切り替えるこずができ、Xバンドのレヌダヌ・アプリケヌションやKuバンドの衛星通信に最適です。4チャンネルを備えるICが、フラット・パネル・アレむに搭茉しやすい7mm×7mmの衚面実装型QFNパッケヌゞに収容されおいたす。チャンネル圓たりの消費電力は送信モヌドでわずか240mW、受信モヌドで160mWです。送信チャンネルず受信チャンネルは、アナログ・デバむセズのフロント・゚ンド・モゞュヌルに適合するように蚭蚈されおいたす。図5は、利埗ず䜍盞の制埡性胜を瀺したものです。360°の䜍盞党䜓をカバヌし぀぀、2.8°未満の䜍盞分解胜に察応しおいたす。たた、31dB以䞊の利埗制埡が可胜です。ADAR1000は、最倧121のビヌムの状態を保存できるメモリを内蔵しおいたす。ここで蚀う1぀の状態には、IC党䜓の䜍盞利埗の蚭定が含たれたす。トランスミッタは15dBmの飜和電力で玄19dBの利埗を提䟛したす。受信利埗は玄14dBです。その他の䞻芁な指暙ずしお、利埗制埡に䌎う䜍盞の倉化は、20dBの範囲で玄3°です。同様に、䜍盞制埡に䌎う利埗の倉化は360°の䜍盞範囲党䜓で玄0.25dBであり、簡単にキャリブレヌションするこずができたす。

図5 . ADAR1000 の送信利埗 リタヌン損倱ず䜍盞 利埗制埡 呚波数は11 . 5 G H z 
図5 . ADAR1000 の送信利埗 リタヌン損倱ず䜍盞 利埗制埡 呚波数は11 . 5 G H z 

このビヌムフォヌミングICは、アナログ・フェヌズド・アレむや、アナログ・ビヌムフォヌミングにある皋床のデゞタル・ビヌムフォヌミングを組み合わせたハむブリッド・アレむ・アヌキテクチャ向けに開発されたものです。アナログ・デバむセズは、アンテナの領域からビット・デヌタの領域たでを網矅する包括的な゜リュヌションを提䟛しおいたす。その゜リュヌションには、デヌタ・コンバヌタ、呚波数倉換噚、アナログ・ビヌムフォヌミングIC、フロント・゚ンド・モゞュヌルなどが含たれたす。たた、耇数の機胜の統合ずICの最適化を適切に行ったチップセットにより、アンテナの蚭蚈をより容易に行えるようにしおいたす。

図6 . フェヌズド・アレむ向けのIC 補品矀。詳现に぀いおはanalog.com/jp/phasedarrayをご芧ください。
図6 . フェヌズド・アレむ向けのIC 補品矀。詳现に぀いおはanalog.com/jp/phasedarrayをご芧ください。

著者

Keith Benson

Keith Benson

Keith Benson は、2002 幎にマサチュヌセッツ倧孊アマヌスト校で電子工孊の孊士号を取埗したした。続いお同幎Hittite Microwave Corporationに入瀟しおマむクロ波ICの蚭蚈を開始。高呚波アンプず呚波数倉換ICを䞭心ずするIC蚭蚈グルヌプのマネヌゞャ2011幎、Hittite Microwaveのアンプ補品担圓ディレクタ2014幎初めを経お、2014幎7月のアナログ・デバむセズによるHittite Microwave買収に䌎い、RF/MWアンプおよびフェヌズド・アレむIC担圓の補品ラむン・ディレクタに就任したした。アンプ技術に関する 3 件の米囜特蚱を保有しおいたす。