HMC-XDB112
HMC-XDB112
新規設計に推奨×2パッシブ周波数逓倍チップ、20~30GHz出力
- 製品モデル
- 2
- 1Ku当たりの価格
- 価格は未定
Viewing:
製品の詳細
- 変換損失:13dB
- パッシブ:DCバイアスが不要
- 入力ドライブ:+13dBm
- 高Foアイソレーション:30dB
- ダイ・サイズ:2.2×0.65×0.1mm
HMC-XDB112は、GaAsヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ(HBT)技術を利用したモノリシック・パッシブ周波数ダブラーです。高周波数を直接生成するよりも低い周波数を2逓倍したほうが経済的になる大容量アプリケーション向けの製品です。すべてのボンド・パッドとダイ裏側をTi/Auでメタライズし、HBTデバイス全体にパッシベーション処理を行っているため、高い信頼性が得られます。
HMC-XDB112パッシブ・ダブラーMMICは、従来のダイ取り付け法のほか、熱圧着方式やサーモソニック方式のワイヤボンディング法にも対応しており、MCMアプリケーションやハイブリッド・マイクロ回路アプリケーションに最適なデバイスです。ここに示すデータはすべて、チップを50Ω環境に置き、RFプローブを接触させて測定した数値です。
アプリケーション
- ポイントtoポイント無線
- VSAT
- 試験用計測装置
- 防衛および宇宙
- クロック生成
ドキュメント
製品選択ガイド 1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
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HMC-XDB112 | CHIPS OR DIE | ||
HMC-XDB112-SX | CHIPS OR DIE |
これは最新改訂バージョンのデータシートです。